先進絕緣封裝優勢多 SMPD強化SiC MOSFET優勢

多數在功率半導體分離式元件的標準封裝中,沒有考慮到一些特定的拓撲結構需求。另一方面,功率模組通常包含完整的拓撲結構,但具有複雜的封裝處理要求。部分供應商的先進絕緣封裝(如SMPD),填補了模組和分離式元件之間的空白,同時具備功率模組的性能和分離式元件的靈活性。...
2023 年 02 月 23 日

IGBT多階轉換器/HVDC技術牽線 智慧電網延伸覆蓋範圍

智慧電網併網挑戰有解。電力公司為將分散式太陽能及風力電網併入智慧電網管理,已開始改用新型絕緣閘雙極電晶體(IGBT)多階轉換器和高壓直流(HVDC)輸電技術,藉此降低電力傳輸損耗,提高併網效率,進而擴大智慧電網互聯規模。
2014 年 07 月 21 日