強化電壓承受力與抗干擾性能 雙向可控矽改善dV/dt設計

自1970年開始,人們便使用雙向可控矽控制幾乎所有電器的交流負載。此後,設計人員不得不面對雙向可控矽的特定行為問題,即在跨端子電壓成長率過高時雙向可控矽能夠自啟動。在設計電器時必須考慮這一點,以確保電器對快速電壓瞬變具有足夠的抗干擾能力。
2016 年 11 月 12 日