消除快閃記憶體技術轉型障礙 RG 3D NAND引領儲存新世代

伴隨著行動科技的推陳出新、5G爆炸性成長、雲端資料快速蔓延,以及固態硬碟(SSD)需求的持續暢旺,儲存產業對記憶體及儲存裝置容量和效能的要求更形嚴苛。儘管在單晶粒容量、電源效率與傳輸量的性能表現上,NAND快閃記憶體技術已攀上新高峰,但受制於傳統NAND技術的瓶頸,依然無法實現最佳的效能和容量設計。
2021 年 02 月 15 日