滿足製程微縮需求 多孔低介電材料重要性日增

低介電材料(ILD)被用於電子設備的後端系統整合已有十多年的歷史。這些薄膜已經從細密的、單一前驅物的摻碳氧化物,進化到多孔的、架構前身和多孔的摻碳氧化物,或多孔的low-k薄膜(圖1)。為了降低介電常數k至2.5~2.6之間,孔隙率的提升是必要的,這是目前已經量產(HVM)的多孔low-k薄膜之現狀。
2021 年 06 月 14 日