溝槽式設計顯神威 SiC MOSFET效能/耐用度大增

以SiC MOSFET為基礎的電源開關,在功率密度、效率及冷卻方面具有顯著系統效益,這是因為損耗遠低於Si-IGBT。
2018 年 09 月 27 日

兼具效能與低損耗 新一代SiC二極體優化系統

當今太陽能、不斷電系統(UPS)或能源儲存應用中,單相或三相變頻器需要高效能、小尺寸設計,以及更長時間的耐用性。上述應用中的變頻器在以1,200V運作時,會受到矽裝置高動態損耗的限制。雖說採用600V/650V裝置的替代性設計可部分提高效率,這種設計的代價是需要較複雜的拓撲,包括特殊的控制機制與較多的組件。
2017 年 07 月 13 日