突破FinFET/FD-SOI瓶頸 DDC技術讓SoC更省電

為解決28奈米IC漏電流問題,產業界已開始採用全耗盡型(Fully Depleted)電晶體進行IC設計,如鰭式電晶體(FinFET)、全耗盡型絕緣層覆矽(FD-SOI),以及深度耗盡通道(DDC)等。其中,DDC技術可克服FinFET與FD-SOI成本與技術挑戰,尤其適合低成本SoC開發。
2012 年 08 月 16 日