推動WBG元件應用普及 故障分析能力至為關鍵(2)

寬能隙元件(WBG)直到最近幾年才開始被廣泛運用在電源領域,尚無法確知其長期效能表現。這個問題成為許多應用開發者導入時的障礙。為精準預測這類元件的長期表現,我們需要新的生命週期模型。 GaN元件特性與故障分析...
2023 年 05 月 02 日

推動WBG元件應用普及 故障分析能力至為關鍵(1)

寬能隙元件(WBG)直到最近幾年才開始被廣泛運用在電源領域,尚無法確知其長期效能表現。這個問題成為許多應用開發者導入時的障礙。為精準預測這類元件的長期表現,我們需要新的生命週期模型。 氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)元件具有獨特屬性,因此日漸成為電力電子應用中矽的替代品。SiC...
2023 年 05 月 02 日

轉換電子元件新革命 GaN功率技術再進化

國際整流器(IR)的科學家預測既有的技術樣式須要有所變革,因此開發突破性的氮化鎵(GaN)功率元件技術平台,該技術保證其性能指數(FOM)較現今最先進的矽金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)至少優越十倍,能為商業應用的GaN功率元件將帶來嶄新的解決方案,使具備高成本效益的高密度、高效率功率轉換技術出現革命。
2010 年 02 月 25 日