Rambus與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)宣布雙方合作開發的兩款獨立記憶體架構式矽測試晶片的成果。第一款測試晶片是專為智慧型手機和平板電腦等行動記憶體應用所設計的解決方案，第二款測試晶片則是專為伺服器等運算主要記憶體應用所設計的解決方案。
這兩款測試晶片均採用格羅方德的28奈米超低功率(28nm-SLP)製程，為目前先進的系統單晶片(SoC)發展提供最省電及具最高效能的類比/混合訊號的產品，功耗及效能方面更是超出預期。
Rambus半導體事業部資深副總裁暨總經理Sharon Holt表示，與格羅方德合作，對Rambus承諾持續創新並推出最佳電子產品效能至關重要。格羅方德的28nm-SLP製程以最佳的功率效率，實現Multi-GHz資料傳輸率。
格羅方德設計支援服務部資深副總裁錢穆吉指出，28nm-SLP技術為系統單晶片設計師提供穩定的製程選項，適用於新一代的多功能消費性產品及行動裝置，並確保功耗最佳化，是在市場中取得成功的重要關鍵。與Rambus合作，展示格羅方德擁有的能力與設計實現生態系統，以提供業界最具成本效益且多樣化的28SLP製程。
Rambus的行動裝置與伺服器的記憶體架構能滿足未來系統在三維(3D)遊戲、高畫質視訊串流、擷取和編碼等各種應用帶動下持續成長的效能需求，同時提供最佳的功率效率。隨著串流影片、智慧型手機、平板電腦和其他智慧型行動裝置日益普及，為搭載最新功能組合的裝置提供必要頻寬的新一代動態隨機存取記憶體(DRAM)技術的需求也將與日俱增。
格羅方德的28nm-SLP技術是專為新一代的智慧型行動裝置所設計，以實現處理速度更快、體積更小、待機功耗更低及電池壽命更長的設計。這項技術是以塊狀矽(Bulk CMOS)基板為基礎，並採用與高介電常數金屬閘極(HKMG)相同的「閘極優先(Gate First)」方法，並已開始在格羅方德位於德國德勒斯登的晶圓1廠內量產。
過去兩年，Rambus與格羅方德已合作設計出多款28nm-SLP測試晶片，包括核心Rambus記憶體架構的行動和伺服器應用。這些測試晶片運用格羅方德所提供的各種設計支援及解決方案，包括製程設計套件(PDK)、延伸實施服務及其DRC+可製造性設計技術。在此之前，在高速實體層(PHY)設計上，格羅方德組裝支援團隊還為Rambus提供銲線和覆晶等封裝方案。
格羅方德網址：www.globalfoundries.com
