ROHM小型蕭特基二極體具超低VF值

2012 年 11 月 19 日

羅姆(ROHM)推出小型蕭特基二極體–RBE系列,達成業界頂級的超低順向電壓(VF)值,適合智慧型手機等行動裝置使用。
 



羅姆重新修正二極體的元件結構後,能大幅改善電流效率,與過去同一型封裝產品相較下,VF值約降低32%,達到業界最頂級的超低VF值;如此一來,便能大幅抑制施加順向電流後所提高的發熱量,在相同封裝尺寸的條件下,確保仍可達成大電流的目標。
 



此外,由於大電流目標的達成,因此在設計時,羅姆得以選擇比傳統封裝產品更小型的封裝(於相同額定電流的條件下進行比較),最高可減少大約80%的安裝面積。
 



RBE系列一開始以月產五百萬個的生產體制展開量產,但隨著使用客戶的日益增加,自今年9月起已擴產為月產一千萬顆。往後羅姆仍將持續以小型、低VF值以及大電流為目標,並以更好的產品系列滿足客戶的需求。
 



RBE系列特別增加體積更小的小型VML2封裝–1.0×0.6毫米(mm),能對於行動裝置在空間的精簡上提供更大的助益。在生產地點方面,本產品選定羅姆位於泰國、菲律賓、中國大陸天津、韓國、馬來西亞等地負責進行生產。
 



羅姆網址:www.rohm.com.tw

標籤
相關文章

羅姆新車電SBD產品線實現小型化/低功耗

2021 年 08 月 18 日

羅姆碳化矽MOSFET模組正式投入量產

2013 年 01 月 11 日

ROHM推出SCT3xxxxxHR 系列支援可靠性標準AEC-Q101

2019 年 04 月 17 日

羅姆車電功能安全設計網頁提高檢索便利性

2021 年 06 月 16 日

羅姆推SerDes IC/車電相機PMIC 促降低ADAS應用功耗與雜訊

2021 年 06 月 17 日

羅姆SiC功率元件獲UAES應用於OBC

2020 年 04 月 01 日
前一篇
矽晶片融合技術助力 SoC FPGA設計架構脫穎而出
下一篇
VoLTE商運明年啟動 LTE晶片商蓄勢待發