ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT｢GNE10xxTB系列（GNE1040TB）｣的量產體制，該系列產品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V，非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。
一般來說，GaN元件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現週邊元件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的元件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，ROHM新產品透過獨創結構，成功將閘極-源極間額定電壓從過去的6V提高到了8V。也就是說，在開關過程中即使產生了超過6V的過衝電壓，元件也不會劣化，有助提高電源電路的設計餘裕和可靠性。此外，該系列產品採用支援大電流且具有出色散熱性的通用型封裝，將使安裝工程的操作更加容易。
新產品於2022年3月起開始量產，前段製程的製造據點為ROHM Hamamatsu Co., Ltd.，後段製程的製造據點為ROHM Co., Ltd.。
ROHM將有助節能和小型化的GaN元件產品系列命名為「EcoGaNTM」，致力大幅提高元件性能。今後，ROHM將繼續研發融合Nano Pulse Control等類比電源技術的控制IC及模組，透過可充分發揮GaN元件性能的電源解決方案，助力永續發展社會的實現。
