羅姆(ROHM)確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度發揮GaN等高速開關元件的性能。
近年來，GaN元件因具有高速開關的特性優勢而被廣泛採用，然而，如何提高控制IC(負責GaN元件的驅動控制)的速度已成為亟須解決的課題。
在此背景下，ROHM進一步改善了在電源IC領域確立的超高速脈衝控制技術「Nano Pulse Control」，成功將控制脈衝寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業界最高水準。透過將該技術應用在控制IC中，又成功確立了可更大程度發揮GaN元件性能的超高速驅動控制IC技術。
目前，ROHM正在積極將應用該技術的控制IC產品化，計畫在2023年下半年開始提供100V輸入單通道DC/DC控制器的樣品。與ROHM的GaN元件「EcoGaN系列」結合後，將會為基地台、資料中心、FA裝置和無人機等眾多應用實現高度節能和小型化。
今後ROHM將繼續以擅長的類比技術為中心，積極開發可有效解決社會課題的產品。
日本大阪大學研究所工學研究科森勇介教授表示，多年來，GaN以能夠實現節能的功率半導體材料之姿備受期待，但這種材料在品質和成本方面還存在諸多課題。因此，ROHM建立了高可靠性GaN元件的量產體系，並積極開發能夠更大程度發揮GaN元件性能的控制IC產品。這對於促進GaN元件的普及而言，可以說是非常重要的一大步。要想真正發揮出功率半導體的性能，就需要將晶圓、元件、控制IC、模組等各項技術有系統地加以整合。在這個方面，日本有包括ROHM在內眾多極具影響力的企業。
在追求電源電路小型化時，需要透過高頻開關來縮小週邊元件的尺寸，這就需要能夠充分發揮GaN等高速開關元件驅動性能的控制IC。這一次為了實現包含週邊元件的解決方案，ROHM確立了非常適合GaN元件的超高速驅動控制IC技術，該技術中還融入了ROHM的類比電源技術「Nano Pulse Control」。
該技術採用了在ROHM的垂直整合生產體制下，融合電路設計、製程和電路布線三大類比技術而實現的「Nano Pulse Control」技術。透過ROHM獨家電路結構，將控制IC的最小控制脈衝寬度由以往的9ns大幅提升至2ns，使48V和24V為主的應用，僅需1顆電源IC即可完成從高電壓到低電壓的降壓轉換工作(從最高60V到0.6V)。該技術非常適合與GaN元件結合，實現高頻開關，助力週邊元件小型化，與採用該技術的DC/DC控制器IC(開發中)和採用EcoGaN技術的電源電路進行比較時，後者的安裝面積比起採用市場競品可減少86%。
