ROHM第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已由日立安斯泰莫株式會社使用於電動車(EV)逆變器。
在全球實現減碳社會的過程中，汽車的電動化進程持續加速，在此背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域，為了延長續航里程並縮減電池尺寸，如何提高驅動核心「逆變器」的效率已成為重要課題，市場對碳化矽功率元件更是寄予厚望。
ROHM自2010年起開始量產SiC MOSFET，在SiC功率元件技術開發方面，其中新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時間，並實現了業界超低導通電阻。在車電逆變器中採用該產品時，與使用IGBT時相比，電耗可以減少6%(按照國際標準「WLTC燃料消耗量測試」計算)，有助延長電動車的續航里程。
日立安斯泰莫多年來一直致力於車用馬達和逆變器等相關技術研發，並且已經為日益普及的EV提供了大量產品。本次為了進一步提高逆變器性能，日立安斯泰莫首次在主驅逆變器的電路中採用了SiC功率元件，並計畫2025年起，向包括日本在內的全球車廠供應逆變器產品。
