羅姆(ROHM)研發出採用溝槽結構的SiC-金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，將降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗。
該SiC-MOSFET兼備較佳的低損耗特性與高速開關特性，與已量產的平面型SiC-MOSFET相比，新推出的SiC-MOSFET可降低約50%的導通電阻，同時提高開關性能，降低約35%的輸入電容。
此外，該公司也研發出採用此次新推出SiC-MOSFET的全SiC功率模組。該產品採用2 in 1的結構，包含兩個新款SiC-MOSFET及一個SiC-蕭特基二極體(SBD)，額定電壓為1200伏特(V)，額定電流180安培(A)。其優勢在於比過往採用平面型SiC-MOSFET的全SiC功率模組，可降低約42%的開關損耗，而與絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)模組相比，開關損耗更降低約77%。
羅姆半導體網址：www.rohm.com
