羅姆(ROHM)已開始650V耐壓氮化鎵(GaN)HEMT「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產，該二款產品非常適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。
據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半，為實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵，碳化矽(SiC)和GaN等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產；2023年3月又確立了能大幅發揮GaN性能的控制IC技術。此次為助力提升電源系統效率和實現小型化，ROHM再推出元件性能達到業界頂級水準的650V耐壓GaN HEMT。
新產品是由ROHM與台達電子(Delta Electronics)子公司，專注於GaN元件開發的碇基半導體(Ancora Semiconductors)聯合開發而成，在650V GaN HEMT的元件性能指數(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss)方面，達到了業界頂級水準。因此新產品可以大幅降低開關損耗，進一步提高電源系統效率。另外新產品還內建ESD保護元件，將抗靜電能力提高至3.5kV，有助提高應用產品可靠性。不僅如此，新產品還具有GaN HEMT元件的優勢—高速開關工作，有助周邊元件小型化。
新產品已於2023年4月起投入量產，並已經開始透過電商平台銷售。
ROHM將有助應用產品節能和小型化的GaN元件命名為「EcoGaN系列」，並不斷致力進一步提高元件性能。除了元件開發，ROHM還積極與業界相關企業建立戰略合作夥伴關係並推動聯合開發，助力提升應用產品效率並實現小型化，持續為解決社會問題貢獻力量。
