國際半導體設備材料產業協會(SEMI)預估，全球半導體產業營收將恢復金融風暴前的穩定成長態勢，2011～2012年保持在4～6%的成長率，其中，雖然記憶體仍是提升整體產能的重要市場，卻在2010下半年受挫後餘波盪漾，動態隨機存取記憶體(DRAM)影響最大，導致2011年整體記憶體產值下修10%。
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| 美光34奈米製程的多層單元NAND Flash |
SEMI Taiwan產業研究資深經理曾瑞榆表示，記憶體在2010下半年遇到個人電腦規格及市場的挑戰，面臨繼金融風暴後的另一波挫折，導致記憶體大廠的投資計畫或製程轉進計畫恐胎死腹中。SEMI也下修2011年記憶體產值10%，金額將從40億美元下滑至33億美元。
其實，以往記憶體產能成長率可達晶圓廠的兩倍，與晶圓廠並稱半導體產能的兩大市場來源。但記憶體2010年下半受挫後，晶圓廠反而後來居上，尤其12吋晶圓廠2011年產能成長率可望達到20%，進而扭轉情勢，使晶圓代工廠產值將在2012年與記憶體平起平坐。
曾瑞榆表示，為降低成本，記憶體廠商可能加速進入40奈米(nm)的計畫，或者延緩相關計畫，因而打斷記憶體產線既定的製程轉進計畫，使DRAM成長則相對持平。目前台灣廠商中，僅瑞晶和華亞科可望在明年順利轉進40奈米製程，甚至進一步率先搶進30奈米製程。
歸功於新興應用和消費性電子裝置的需求提升，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)成為快速成長的市場之一，為記憶體市場挹注較大產能，逐漸下降的價格也將擴大NAND市場的需求。
曾瑞榆認為，若度過2011年第一季的低潮，台灣第一線記憶體大廠仍可待現金流動穩定後再投注資金。
