Si/SiC/GaN各擅勝場 功率開關元件選用要仔細

作者: 林志宏 / 楊東益
2019 年 12 月 09 日
電源轉換器所使用的功率開關元件一直以來都採用矽(Si)半導體材料為主,但是隨著越來越多苛刻的應用與需求,矽半導體材料發展也趨近於材料本身的極限,使得矽功率開關元件已經無法完全符合需求。為了符合電源轉換器設計的需求,近年來寬能隙材料諸如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)應運而生並且已被成功地商品化,本文探討電源轉換器設計者應該是沿用矽功率開關元件,還是轉而選用寬能隙功率開關元件,先由矽和寬能隙材料的特性進行比較,再進入討論CoolMOS,CoolSiC和CoolGaN的應用和定位,提供設計人員參考來選擇合適的功率開關元件。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

通盤考量電路配置 高效/小型AC-DC電源設計有譜

2011 年 10 月 31 日

改善背光/照明應用效率 LED驅動器扮要角

2010 年 09 月 13 日

下世代功率半導體競技賽開打 GaN/SiC爭搶主流寶座

2011 年 05 月 30 日

實現高效能電源轉換器 HVIC性價比亮眼

2011 年 10 月 27 日

離線式驅動瓶頸突破 家用LED照明系統可靠性大增

2012 年 02 月 13 日

數位電源安全/功率密集/高效率達陣 GaN FET/即時MCU相得益彰

2021 年 06 月 20 日
前一篇
專訪Vivo 5G研發中心總監秦飛 Vivo積極插旗5G手機商機
下一篇
ROHM推出IPD保護電路系統 提升應用可靠性