ST推出改良版串聯式二極體

2013 年 09 月 11 日

意法半導體(ST)推出第二代串聯式二極體(Tandem Diode),讓設計人員以高成本效益提升設備效能,目標應用於電源、太陽能逆變器以及電動交通工具充電站。


與第一代產品相比,新款二極體產品降低反向恢復電荷(Reverse-recovery Charge, QRR),得以最大幅度降低開關損耗,效能優勢高於標準超高速二極體。QRR參數變低有助於加快電路設計微調(Fine-tuning)速度,進而加速產品上市時程。新產品性能可與碳化矽二極體相比擬,但價格比碳化矽二極體低至少30%。


加入意法半導體600伏特(V)串聯式二極體系列新一代產品包括8安培(A)平均正向電流(Average Forward Current)–STTH8T06DI和STTH8ST06DI和12安培(A)平均正向電流–STTH12T06DI。新產品正向峰值突波電流(Peak Forward Surge-current)與超高速二極體相同,可確保穩健性和可靠性,並擁有寬達-40~175°C的工作接結溫度(Junction-temperature)範圍。意法半導體最新三款串聯式二極體均已投入量產,採用TO-220AC絕緣散熱柱型(Isolated-tab)封裝。


意法半導體網址:www.st.com

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