意法半導體(ST)宣布在28奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術平台的研發向前邁出一大步，即將在位於法國Crolles的12吋(300毫米)晶圓廠導入該製程技術，這證明意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型(Planar Fully-Depleted)技術的能力。
意法半導體執行副總裁、數位娛樂事業部總經理暨技術長Jean-Marc Chery表示，透過後端晶圓測試證明，與傳統製造技術相比，FD-SOI在性能和功耗方面具有明顯優勢，讓意法半導體能在28奈米技術節點創造高成本效益的工業解決方案。
FD-SOI技術平台包括全功能且通過矽驗證的設計平台和設計流程。技術平台為全套的基礎程式庫，包括標準單元、記憶體產生器、輸入/輸出(I/O)、AMS IP及高速介面，設計流程適合開發高速的高效能元件。
與傳統製造技術相比，FD-SOI技術可在大幅提升性能的同時，大幅降低功耗，因此ST-Ericsson則採用意法半導體的FD-SOI技術設計未來的行動平台。
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