意法半導體(ST)推出S系列1200伏特(V)絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)。當開關頻率達到8kHz時，新系列的雙極元件擁有較低的導通及關斷耗損，提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率。
新系列擁有當前1200V IGBT市場上較低的飽和電壓，可確保更低的電壓降與較小的功率耗損，從而簡化熱管理系統。此外，正VCE溫度係數結合緊密的參數分布，不僅簡化多個電晶體的平行設計，亦滿足更大功率應用的要求。較低的電壓過衝及關機零振盪現象，使電源廠商能使用更簡易的外部電路及更少的外部元件。
作為8kHz最高開關頻率硬開關拓撲的理想選擇，新系列採用第三代溝槽式場截止型製程，使該公司1200V IGBT的M系列及H系列的市場布局更完整，M系列及H系列的產品定位分別在20kHz與20kHz以上的開關電源市場，而現在加入新款Ｓ系列，此三大系列將成為常用開關頻率電源廠商針對高能效IGBT元件的較佳選擇。
新系列IGBT提供15安培(A)、25A和40A三個額定電流值，採用標準針腳或TO-247加長針腳封裝，全系列產品均內建新款的穩流二極體，其擁有快速恢復與高恢復軟度，確保IGBT具有較低電磁干擾，和導通耗損。
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