ST超接面MOSFET提升家電電源能效

2014 年 12 月 08 日

意法半導體(ST)新款超接面(Super-junction)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品–MDmesh M2可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求,同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項。


新系列產品擁有先進的超接面技術,具有比上一代產品更低的導通電阻(RDS(ON)),以及更低的閘極電荷(QGD)和輸入/輸出電容(Ciss/Coss)。此外,這些產品更進一步降低了能源消耗和熱散逸(Heat Dissipation),讓開發人員能更快地設計出高效產品。


同時,新產品將崩潰電壓提高至650伏特(V),確保更高的安全系數,讓設備廠商能夠設計更穩固且更可靠的系統。


該產品適用於筆記型電腦、印表機和遊戲機等設備的外接電源,以及電視機和音響系統的內部電源。3~25瓦(W)單管LED燈引擎以及大功率多管LED燈引擎驅動器也將受益於新產品的熱效率與熱性能。


該款超接面MOSFET現已上市,最大額定電流範圍為4A至11A,最低導通電阻RDS(ON)降至0.360Ω。STD6N65M2採用D2PAK封裝。


意法半導體網址:www.st.com

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