意法半導體(ST)的STW78N65M5和STW62N65M5是業界首款採用TO-247封裝的650V AEC-Q101車規金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。在高電壓突波(High-voltage Spike)的環境中，650伏特(V)額定電壓能夠爲目標應用帶來更高的安全係數，有助於提高汽車電源和控制模組的可靠性。這兩款元件擁有極低的導通電阻(RDS(ON))，分別爲0.032Ω和0.049Ω，結合精巧的TO-247封裝，可提高系統能效和功率密度。
新産品理想的性能歸功於意法半導體的MDmesh V超接面(Super-junction)技術。此項技術可製造單位矽面積導通電阻RDS(ON)極低的高電壓元件，使晶片的封裝尺寸變得更小。閘電荷(Qg)和輸入電容也極低，因此，Qg×RDS(ON)品質因數(FOM)極其出色，並擁有高開關性能和能效。此外，其優異的抗雪崩(Avalanche)特性可確保元件在持續高電壓環境中擁有高耐用性。
MDmesh V整合意法半導體專有的垂直式製程(Vertical Process)技術和經市場驗證的PowerMESH水平式架構(Horizontal Architecture)，導通電阻較同等級的MDmesh II元件減少大約50%。
意法半導體網址：www.st.com
