意法半導體(ST)推出首款採用新封裝技術的MDmesh V超接面(Super-Junction) 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，新封裝可提升家用電器、電視機、個人電腦、電信設備和伺服器開關電源的功率電路能效。
意法半導體的功率電晶體產品部行銷總監Maurizio Giudice表示，TO247-4具有很高的成本效益，用於替代標準TO-247元件時，只須略加修改印刷電路板布局，從而簡化該元件在電源系統的應用。採用這一封裝的新MDmesh元件可提高工作能效，實現更加節能環保的終端設備。
新的TO247-4 4接腳封裝提供一個開關控制專用的直接源連接(Direct Source Connection)，而傳統封裝是開關和電源共用一個接腳。增加的接腳能夠提高開關能效，降低開關損耗，並支援更高的開關頻率，降低電源尺寸。
該封裝是意法半導體與英飛凌(Infineon)的合作開發成果，英飛凌也推出自有的超接面元件，為客戶選購超接面MOSFET時提供更大的靈活性。TO247-4封裝整合一個創新且實現了開爾文接法(Kelvin Connection)的內部結構，這個連接旁路了主電源連接的共源電感，可消除高達60%的開關損耗，允許設計人員使用更高的開關頻率和更小的濾波元件。新封裝結合意法半導體的MDmesh超接面技術，實現了最高的單位矽面積導電效率，並取得了最高的總體節能效果。
作為首款TO247-4封裝的MDmesh產品，STW57N65M5-4可提高主動功率因數校正(PFC)電路和全橋或半橋功率轉換器的能效，適用於各種消費性電子和工業電子產品。
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