專訪太克大中華區行銷業務協理張天生 NFC手機點燃混合域示波器需求

混合域示波器(MDO)市場商機正快速擴大。有鑑於近距離無線通訊(NFC)晶片訊號波形、頻譜、信令與編碼等驗證需求漸起,工程師已開始採用可同時測量時域與頻域的混合域示波器,藉此縮短NFC手機產品開發時程,遂成為相關儀器商積極耕耘的潛力產品線。
2013 年 02 月 07 日

聯發科也瘋big.LITTLE Q3推Cortex-A7/15四核

聯發科下一代四核心平板處理器將採納big.LITTLE架構。聯發科今年第三季將量產雙核Cortex-A15加雙核Cortex-A7的四核心平板應用處理器,可望大幅改善晶片效能與功耗表現,拉攏更多品牌廠支持;此外,該公司亦將同步展開big.LITTLE四核方案整合數據機(Modem)的系統單晶片(SoC)設計,藉以擴張中高階智慧手機市占版圖。 ...
2013 年 02 月 05 日

行動晶片商出「芯」招 四核心處理器激戰再起

四核心行動處理器之爭愈演愈烈。智慧型手機與平板裝置品牌廠積極推出新產品並追求差異化功能,已引爆龐大高階處理器需求,吸引行動處理器開發商全力強攻四核心以上等級的系統單晶片解決方案,讓今年CES會場上彌漫濃濃硝煙味。
2013 年 02 月 04 日

專訪台積電董事長暨總執行長張忠謀 台積28奈米產能今年擴三倍

台積電今年將大幅擴產28奈米(nm)製程產能。2012年台積電靠著領先的28奈米技術,在晶圓代工市場打下漂亮一仗,營收及獲利皆屢創新高。邁入2013年,台積電確信28奈米製程需求依然強勁,故預計將產能提高三倍,不予競爭對手可趁之機,同時也協助更多新客戶順利將晶片從40奈米轉進28奈米世代。
2013 年 02 月 04 日

Phablet開啟新戰局 手機晶片商排名釀洗牌

平板手機(Phablet)崛起將牽動智慧手機晶片商市場排名。全球手機廠競逐平價高規平板手機,引爆多核心、高整合處理器需求,已激勵三星(Samsung)、海思加緊研發八核方案,而高通(Qualcomm)、聯發科及博通(Broadcom)則布局四核應用與基頻晶片整合公板;甚至還有大陸業者計畫改良7吋平板晶片,以低價優勢跨足市場,將導致手機晶片戰局丕變,甚至牽動晶片商排名洗牌。 ...
2013 年 01 月 30 日

展開雲端事業攻防戰 Intel/ARM再掀熱鬥

英特爾與ARM的處理器戰線將擴大至雲端應用領域。瞄準雲端設備對低功耗、高效能的嚴格要求,英特爾已揭櫫新一代Atom SoC及3D陣列記憶體開發計畫;同一時間,ARM也不甘示弱力推64位元處理器核心,並攜手超微、高通等大廠制定異質系統架構標準。
2013 年 01 月 28 日

4K×2K LCD氣勢如虹 OLED面板「大」有挑戰

大尺寸OLED面板發展面臨內憂與外患雙重考驗。儘管韓系面板廠積極投入研發,OLED面板進入大尺寸應用仍遭遇諸多挑戰,除金屬網罩蒸鍍、驅動背板製程技術尚未成熟,導致量產成本居高不下外,4K×2K LCD面板快速崛起,亦將影響其市場接受度。
2013 年 01 月 28 日

工研院扮推手 國內HV LED供應鏈明年成形

國內高壓發光二極體(HV LED)供應鏈可望於2014年到位。工研院正號召國內HV LED照明供應鏈廠商共同制定HV LED產業標準,並規畫HV LED照明系統所需的關鍵元件及其規格,藉此培植台灣HV...
2013 年 01 月 25 日

邁向In-cell終極目標 面板廠攻單層自電容感應

單層自電容感應技術將成內嵌式(In-cell)觸控面板廠新的布局重點。為提升In-cell觸控面板良率、降低成本和雜訊,供應鏈業者正醞釀以單層自電容取代既有雙層互電容感應技術,包括蘋果(Apple)、三星(Samsung)、台/日系面板廠及一線觸控IC大廠均已啟動專利布局,並投入開發新一代觸控IC、液晶顯示器(LCD)驅動IC,從而改良In-cell感應層設計結構。 ...
2013 年 01 月 21 日

升級UHD/大螢幕 4K電視/平板手機CES最吸睛

超高解析度(Ultra HD, UHD)和大尺寸螢幕規格,將是今年電視與手機產品的主要設計潮流。全球行動裝置、電視品牌廠競相在今年國際消費性電子展(CES)秀出5吋以上平板手機(Phablet),以及55吋以上4K×2K、主動式矩陣有機發光二極體(AMOLED)電視,共同朝升級大尺寸、超高解析度螢幕方向前進,將引爆新設計風潮並帶動龐大零組件需求商機。 ...
2013 年 01 月 18 日

養大金雞母 台積電28奈米產能將擴三倍

台積電將於2013年大幅擴產28奈米(nm)製程產能。2012年台積電靠著領先的28奈米技術,在晶圓代工市場打下漂亮一仗,營收及獲利皆屢創新高。邁入2013年,台積電確信28奈米製程需求依然強勁,故預計將產能提高三倍,不予競爭對手可趁之機,同時也協助更多新客戶順利將晶片從40奈米轉進28奈米世代。 ...
2013 年 01 月 18 日

緊追日韓記憶體廠 工研院試產次世代NVRAM

工研院次世代非揮發性記憶體(NVRAM)即將試產。現有揮發性DRAM、SRAM及非揮發性快閃(Flash)記憶體,將分別面臨20或15奈米(nm)以下製程微縮的物理極限,難以持續改善晶片體積與耗電量;因此,除日韓一線記憶體廠正加緊量產新興磁性記憶體(MRAM)、電阻式記憶體(RRAM)外,工研院電光所亦攜手國內業者投入相關晶片研發,預計今年即可進入試產階段。 ...
2013 年 01 月 10 日