戴樂格Energous遠距無線充電技術通過FCC認證

戴樂格(Dialog)宣布由於Energous Mid Field WattUp傳輸器參考設計已取得聯邦通訊委員會(FCC)認證,該公司生產就緒(Production Ready)的完整端對端WattUp晶片技術發展藍圖佈建得以大幅加速。這項FCC認證代表無線充電產業的一大躍進,而Dialog的完整晶片系統發展藍圖為智慧型手機、穿戴式裝置、聽戴式(hearable)裝置等消費性可攜式電子和IoT裝置,奠定了充電方式的變革基礎。...
2018 年 02 月 05 日

Mouser提供Murata DMH系列超級電容器

貿澤(Mouser)即日起開始供應Murata的DMH系列超級電容器。DMH系列超級電容器擁有超薄的0.4mm厚度,專門設計為穿戴式裝置、醫療感應片、電子紙裝置、智慧卡和其他空間受限的行動裝置提供峰值功率輔助功能。...
2017 年 12 月 05 日

Mouser提供NXP 65V LDMOS電晶體

貿澤電子(Mouser)即日起開始供應NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS電晶體。MRFX1K80H屬MRFX系列的射頻(RF)MOSFET電晶體產品之一,採用最新的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術。MRFX1K80H採用的LDMOS技術有助於提高寬頻應用的輸出功率,同時維持適當的輸出阻抗。...
2017 年 10 月 26 日

搶攻5G小基站商機 工研院發表射頻晶片原型

在4G與未來的5G行動通訊系統,高密度布建的小型基站已被視為提升頻譜資源利用率、實現異質網路無縫連接的一大解方,相關的關鍵射頻元件的市場潛力十分可觀。工研院資通所為協助台灣通訊上游元件產業掌握小型基站商機,於近期發布小型基站功率放大器晶片封裝模組原型。...
2017 年 08 月 08 日

R&S FSW訊號暨頻譜分析儀內建2 GHz分析頻寬

現今5G無線技術、高階雷達系統和汽車相關應用的開發人員,需要非常大的頻寬來分析寬頻訊號,羅德史瓦茲(R&S)新推出的R&S FSW高階訊號暨頻譜分析儀,針對這些應用需求提供了2GHz的分析頻寬。...
2017 年 07 月 20 日

5G PA高功率需求增 氮化鎵元件身價看漲

具高功率特性的氮化鎵(GaN),將可滿足5G對功率放大器(Power Amplifier, PA)的高頻需求,有充分潛力超越砷化鎵(GaAs)。氮化鎵在高功率應用的實現上,比砷化鎵更具實力,因而能充分滿足5G的高頻需求,除了將逐步在手機的5G功率放大器中出現,基地台功率放大器應用也是另一項發展主力。...
2017 年 05 月 31 日

ADI發表兩款寬頻6GHz模組

亞德諾半導體(ADI)近日宣布推出兩款高性能氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)模組(HMC7885/HMC7748),兩款模組皆擁有高功率密度,可大幅縮減子系統的尺寸和重量。 HMC7885和HMC7748寬頻模組,針對2GHz至6GHz頻率範圍的應用,包括量測、通訊、替代行波管(TWT)、航空監控、雷達等應用領域。這些完全整合型全固態元件擴展了ADI公司現有的GaN功率放大器系列,使用方便,可以加快原型開發和系統設計。...
2017 年 04 月 11 日

三星5G跨越重大里程碑 28GHz射頻晶片進入商品化

三星電子正式宣布,該公司為5G基礎建設所設計的28GHz毫米波射頻晶片已經研發完成,準備進入商用化階段,採用該晶片的5G設備將在2018年初正式發表。 三星電子執行副總裁暨次世代通訊業務主管Kyungwhoon...
2017 年 02 月 21 日

微芯2.4GHz射頻高功率放大器具備低EVM

微芯(Microchip)推出全新的2.4GHz 256-QAM射頻高功率放大器–SST12CP21,為256-QAM和IEEE 802.11n系統提供極低的誤差向量幅度(EVM)與電流消耗。新元件可在5伏特(V)電壓、320毫安培(mA)電流消耗時,對於採用MCS9...
2014 年 08 月 29 日

瞄準UHD影音傳輸需求 模組化VSA/VSG上陣

超高畫質(UHD)影音傳輸熱潮正帶動802.11ac晶片朝160MHz頻寬升級,因此量測儀器商正力推廣具備160MHz頻寬的向量訊號分析儀(VSA)及向量訊號產生器(VSG),協助晶片商搶先卡位4K×2K影音無線通訊傳輸商機。 ...
2013 年 09 月 05 日

CMOS製程發功 Wi-Fi射頻前端整合度再躍升

RFaxis近日宣布開始量產業界首款無線區域網路(Wi-Fi)與藍牙(Bluetooth)組合式射頻前端(RF Front-end)晶片–RFX8422S;該元件利用互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程,將Wi-Fi與藍牙整合於單一裸晶(Single...
2013 年 08 月 29 日

加速LTE-A/5G設計 射頻LNA/PA需求爆發

射頻(RF)元件需求急速增長。先進長程演進計畫(LTE-Advanced, LTE-A)商轉啟動,下一代5G標準亦蓄勢待發,驅動行動裝置射頻系統規格升級。系統廠為支援100MHz超大頻寬、四十個以上頻段並降低雜訊干擾,除計畫增加低雜訊放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射頻元件用量外,亦將要求射頻前端模組(FAM)提高功能整合度,吸引晶片商加緊展開卡位。 ...
2013 年 08 月 26 日