英飛凌/安克成立創新應用中心攜手開發PD快充方案

英飛凌(Infineon)近日宣布其與安克創新(Anker Innovations)在深圳聯合成立創新應用中心。該創新應用中心全面投入營運之後，將開發能夠更高能效，減少碳排放的充電解決方案，推動低碳化進程。...
2024 年 01 月 30 日

Transphorm發布兩款4引腳TO-247封裝SuperGaN元件

Transphorm宣布推出兩款採用4引腳TO-247封裝(TO-247-4L)的新型SuperGaN元件。新發布的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET元件分別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，並配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。...
2024 年 01 月 22 日

常關需求引發路線之爭　D-mode GaN不容低估(1)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭　D-mode GaN不容低估(2)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭　D-mode GaN不容低估(3)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

Transphorm新白皮書比較常閉D-Mode/E-Mode氮化鎵電晶體

Transphorm發布了題為「Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢」的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵(常閉)d-mode氮化鎵平台固有的優勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平台為實現常閉型解決方案，從根本上(實體層面)削弱了諸多氮化鎵自身的性能優勢。...
2023 年 10 月 24 日

GaN Systems推出第四代氮化鎵平台

GaN Systems近日推出其第四代氮化鎵平台(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優化及業界領先的品質因數(Figures of...
2023 年 10 月 02 日

Transphorm氮化鎵元件實現5微秒短路耐受時間

Transphorm宣布利用該公司的一項專利技術，在氮化鎵功率晶體管上實現了5微秒的短路耐受時間(SCWT)。這是同類產品有記錄以來首次達到的成就，證明Transphorm的氮化鎵元件能夠滿足伺服電機、工業電機和汽車動力傳動系統等傳統上由矽IGBT或碳化矽(SiC)MOSFET提供支援的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力。氮化鎵在這類應用領域未來五年的潛在市場規模(TAM)超過30億美元。...
2023 年 08 月 28 日

空中巴士/ST合作研發功率電子元件

空中巴士(Airbus)和意法半導體(ST)近期簽立了一項功率電子技術研發合作協議，以促進功率電子元件更高效率和更輕量化，這對於未來的油電飛機和純電動城市飛行器發展至關重要。 在簽署該合作協議之前，雙方已充分評估寬能隙半導體材料為飛機電動化帶來的各種優勢。相較於矽等傳統半導體材料相比，碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體的電氣性能更優異，有助於開發更小、更輕、更高效率的高性能電子元件和系統，特别適合需要高功率、高頻或高溫開關操作的應用領域。...
2023 年 08 月 07 日

氮化鎵如何在圖騰柱PFC電源設計中達到高效率

幾乎所有現代工業系統都涉及交流/直流電源，這些系統從交流電網獲得能量，並將經過妥善調節的直流電壓輸送到電氣設備。隨著全球功耗增加，交流/直流電源轉換過程中的相關能量損耗成為電源設計人員整體能源成本考量的重要部份，特別是高耗電電信和伺服器應用的設計人員。...
2023 年 07 月 28 日

應用障礙逐步掃除　WBG元件普及大步向前(2)

寬能隙元件能為電源、逆變器等功率應用帶來極大的效益，但在設計導入方面也有相當的門檻存在。因此，如何降低設計導入的門檻，成為供應商必須面對的課題。 GaN驅動難題有解　台達實現百瓦功率密度 同樣屬於寬能隙半導體的氮化鎵功率元件，也跟碳化矽元件一樣，能協助電源開發者實現更高的電源密度。然而，氮化鎵元件的驅動與控制方式與矽元件大相逕庭，因此在高功率應用的設計開發上，有比較多技術議題需要克服。...
2023 年 07 月 03 日

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅動器方案

Transphorm發布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用於LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電競電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同於同類競爭的e-mode...
2023 年 06 月 19 日
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