英飛凌奧地利新廠區落成啟用　第三代半導體布局添活棋

英飛凌(Infineon)日前宣布，其位於奧地利菲拉赫(Villach)的12吋薄晶圓功率半導體晶片廠正式啟用營運。這座以「面向未來」為宗旨的高科技晶片廠，總投資額為16億歐元，是歐洲微電子領域同類型中最大規模的投資項目之一，也是現代化程度最高的半導體元件工廠之一。這座新啟用的晶圓廠，現階段將生產汽車、資料中心，以及太陽能和風能等再生能源應用所需的晶片。這座新晶圓廠啟用後，原本位於Villach的舊廠區，在未來幾年將陸續展開產線升級計畫，以便用更大尺寸的晶圓量產碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)元件，滿足市場對第三代半導體的強勁需求。...
2021 年 09 月 23 日

英飛凌/松下簽署合約　聯手加速GaN技術發展

英飛凌科技和Panasonic公司已針對共同開發及生產第二代(Gen2)氮化鎵(GaN)技術簽訂合約，基於已獲認可接受的GaN技術，Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。Gen2技術以 8 吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)晶圓生產的能力，凸顯出英飛凌在需求日益增長的GaN功率半導體領域的策略性拓展。為了因應市場需求，Gen2...
2021 年 09 月 09 日

意法45W/150W MasterGaN新品鎖定高效能功率轉換應用

意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出MasterGaN3和MasterGaN5兩款整合功率系統封裝，分別針對最高45W和150W的功率轉換應用。另外針對65W至400W應用的MasterGaN1、MasterGaN2和MasterGaN4，為設計開關式電源、高壓功率因數校正(Power-Factor...
2021 年 09 月 06 日

從豆腐頭到自駕車　氮化鎵GaN的好戲還在後頭

從一顆豆腐頭開始，新一代氮化鎵(GaN)充電器即將邁向大眾市場，同時也意味著第三代半導體材料準備大顯身手，將進入高速成長階段，氮化鎵功率元件的市場規模，可望從2020年的4,600萬美元，一路成長到2026年的11億美元，平均年複合成長率超過70%。
2021 年 08 月 26 日

TI電動車動力傳動系統整合　系統成本降低50%

目前一台電動車的平均生產成本，比一台傳統燃油汽車高出12,000美元。汽車業者致力符合各國碳排放法規的同時，同時希望讓電動車的價格更實惠。因此德州儀器TI提出改善電動車動力傳動架構，希望能降低50%系統設計成本，同時達到功率密度最大化、提高效能、優化可靠度，提升電動車價格競爭力。...
2021 年 05 月 17 日

消費性應用爆發　GaN功率元件市場五年後將達11億美元

據研究機構Yole Developpement預估，在手機快速充電等消費性應用的帶動下，到2026年時，全球GaN功率元件的市場規模將達到11億美元，2020~2026年間的複合年增率高達70%。若以個別應用來看，消費性應用市場規模將達到6.72億美元，其次為電信/資料通訊市場，規模為2.23億美元。汽車應用則會是GaN功率元件成長速度最快的市場，到2026年時，市場規模將達到1.55億美元，複合年增率高達185%。...
2021 年 05 月 10 日

功率/RF應用雙引擎帶動　寬能隙半導體來勢洶洶

在電動車、5G的帶動下，近幾年寬能隙半導體的應用突飛猛進，相關人才的爭奪戰，也變得更加白熱化。
2021 年 05 月 03 日

集結產學之力　PIDA發表化合物半導體技術路線圖

光電科技工業協進會(PIDA)近日舉辦「化合物半導體技術路線圖」特刊發表會，共吸引200多位國內在化合物半導體產官學界重要貴賓參與。本路線圖由陽明交通大學國際半導體產業學院張翼院長出任召集人，集合國內產學研專家，針對化合物半導體的最新技術發展及產業應用作深入剖析。本路線圖聚焦在下世代高頻、高功率、寬能隙等相關半導體關鍵材料，如氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等技術與應用，內容包含材料特性、長晶磊晶、通訊及功率半導體的元件製程、未來趨勢、相關應用及檢測與可靠度等議題進行盤點分析。...
2021 年 04 月 07 日

三大應用持續發酵　寬能隙半導體進入爆發期

根據TrendForce調查，2018至2020年第三代半導體產業陸續受到中美貿易摩擦、疫情等影響，整體市場成長動力不足，致使年增率持續受到壓抑。然受惠於車用、工業與通訊需求挹注，2021年第三代半導體成長動能有望高速回升，其中又以GaN功率元件的成長力道最為明顯，預估其今年市場規模將達6,100萬美元，年增率高達90.6%。...
2021 年 03 月 15 日

整合驅動器/保護功能　GaN FET搶進工業電源

傳統電源系統所使用的開關元件，主要有整合式雙金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)和絕緣柵雙極電晶體(IGBT)兩種，但若欲提高功率密度，則必須犧牲效能、外觀尺寸及散熱能力。
2021 年 01 月 21 日

Aledia/CEA-Leti聯手寫歷史　MicroLED進入12吋晶圓世代

法國新創公司Aledia近日宣布，該公司與法國研究單位CEA-Leti，已成功在12吋矽晶圓上生產MicroLED晶粒。過去8年，Aledia都是在8吋晶圓上開發其MicroLED技術，改用12吋晶圓生產可帶來更高的成本效益，且更容易與採用先進製程的電路功能整合。...
2020 年 12 月 21 日

EPC新170V eGaNFET搶占高端伺服器與消費類電源市場

宜普電源轉換公司(EPC)推出170V、6.8 mΩ的EPC2059氮化鎵場效應電晶體(eGaNFET)，相比目前用於高性能48V同步整流的元件，EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的元件。...
2020 年 11 月 17 日
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