瞄準汽車/工業應用 整合式GaN電源市場TI不缺席

在氮化鎵(GaN)材料開始應用在電源領域之後,扮演開關角色的GaNFET或GaN HEMT,到底要不要跟驅動器整合,成為電源管理晶片,一直是業界熱議的話題。對低電壓、小功率應用,如快速充電器而言,整合式方案跟離散元件都是可行選項,但如果是高電壓、大功率應用,驅動器與開關整合,似乎是業界的共識。繼意法半導體(ST)利用先進封裝,推出整合一對GaNFET與驅動晶片,鎖定400W以下低功率應用的整合式GaN電源管理晶片後,德州儀器(TI)也宣布推出針對汽車、工業應用設計,輸出功率可達數千瓦的整合式GaN電源解決方案。...
2020 年 11 月 12 日

意法推首款驅動/GaN整合式產品 快速充電器尺寸更小巧

意法半導體(ST)推出首款嵌入矽基半橋驅動晶片和一對氮化鎵(GaN)電晶體的MasterGaN產品平台。該整合化解決方案將有助於加速最高400W之下一代輕量節能消費性電子、工業充電器,以及電源轉接器的開發速度。...
2020 年 10 月 12 日

宜普新200V氮化鎵產品系列性能加倍

宜普電源轉換公司(EPC)推出的兩款200V eGaN FET(EPC2215和EPC2207),性能更高的同時成本更低。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊,包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器(MPPT)、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式),以及多電平高壓轉換器。...
2020 年 09 月 01 日

EPC和Microchip在1/16磚式轉換器實現300W功率

EPC宣布推出1/16磚式、300W DC/DC穩壓器-EPC9143。其功率模組把Microchip dsPIC33CK數位訊號控制器(DSC)和最新一代eGaN FET EPC2053集成在一起,實現25A、48V/12V和96%效率的功率轉換。500kHz開關頻率在非常小的1/16磚式轉換器實現300W功率,其尺寸僅為33X22.9毫米(1.3×0.9英寸)。...
2020 年 07 月 22 日

功率半導體現快充商機 GaN挾高效能進軍消費市場

2020年是快充市場快速發展的重要時間,而氮化鎵零組件由於具有極高的開關速度及同一晶圓下的小導通電阻,使得更高的效能和開關頻率快速充電成為可能。
2020 年 07 月 09 日

滿足消費應用需求 GaN快充市場潛力不容小覷

手機/平板/筆電電源需求提升的趨勢下,快速充電成為熱門應用。氮化鎵小體積、高電源密度的特性受到快充製造商青睞,近來在消費電子產品領域發展快速,有望進入下一代高階手機標配市場。
2020 年 07 月 06 日

EPC更新GaN功率電晶體/積體電路系列Podcast

宜普電源轉換公司(EPC)更新其「如何使用氮化鎵元件」的影片Podcast系列。該影片系列的內容是依據最新出版的《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》第三版教科書的內容製作。合計共14個教程的影片Podcast系列旨在為功率系統設計工程師提供基礎技術知識及針對專有應用的工具套件,進而讓工程師學習如何採用氮化鎵電晶體及積體電路,設計出更高效的功率轉換系統。...
2020 年 04 月 27 日

大量導入消費性應用 GaN喜迎高度成長契機

氮化鎵(GaN)具有高開關速度、低損耗、小體積等優點,可以有效提升系統效率,並解決元件散熱問題。伺服器電源、電動車(EV)以及消費性電子產品的快速充電將是驅動GaN高度成長的關鍵市場。
2020 年 04 月 20 日

意法收購Exagan 擴展GaN應用布局

意法半導體(ST)日前宣布已簽署收購法國氮化鎵(GaN)創新企業Exagan多數股權的併購協定。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率GaN的研發和業務。Exagan將繼續執行現有產品規畫,意法半導體則將為其部署產品提供支援。...
2020 年 03 月 11 日

EPC氮化鎵GaN推動產業功率傳輸轉型

宜普電源轉換(EPC)將於3月15至19日在美國紐奧良(New Orleans)舉行的APEC 2020展覽會上,進行11個關於氮化鎵(GaN)技術及應用的演講。此外,EPC展位也會有多個終端客戶採用的最新氮化鎵場效應電晶體及IC產品亮相。...
2020 年 03 月 06 日

看好功率應用需求 台積電/意法合推氮化鎵製程

日前台積電宣布與意法半導體(ST)合作,共同推動氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)製程技術發展。氮化鎵在汽車、工業、電信以及特定消費性電子產品的應用上,具有比傳統矽基半導體更優異的節能效益,同時元件切換速度比矽基元件快10倍,也能讓系統使用的元件更精簡,進而縮小終端產品的外觀尺寸。透過此合作,意法半導體將採用台積電領先的氮化鎵製程技術,來生產其創新與策略性的氮化鎵產品。...
2020 年 02 月 24 日

採用直接驅動設計 GaN FET開關控制效率增

高壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子移動率電晶體(HEMTs)的開關性能支持新的拓撲結構,能夠提升開關電源效率和密度。GaN的終端電容(Ciss/Coss/Crss)較低,且無第三象限反向恢復(Reverse...
2019 年 12 月 12 日