先進製程慢熱 台積電轉攻3D IC

20和14奈米先進製程的極紫外光微影(EUV)製程與多重電子束(MEB)無光罩微影技術尚未完備,且生產成本仍大幅超出市場預期,量產時程延緩將在所難免。因此,在先進製程技術面臨關卡之際,台積電積極鎖定三維晶片(3D...
2011 年 09 月 12 日

提升量子效率/降低畫素尺寸 背照式CMOS影像感測器崛起

固態影像感測器目前可分為兩種不同的設計結構,分別為電荷耦合元件(CCD)與互補式金屬氧化物半導體(CMOS)。通常CCD能提供較佳的畫質,但因為CMOS能打造出整合式解決方案,將成像元件與處理電子元件做在同一顆晶粒內,因此至今產量仍穩居王座。
2011 年 03 月 03 日

延續摩爾定律商機 3D IC/先進製程缺一不可

今年國際半導體展,除涵蓋LED製程、MEMS、綠色製程與二手設備外,最受關注的熱門焦點,莫過於3D IC的發展,尤其在矽穿孔技術日趨成熟後,3D IC商用腳步也逐漸加快,可望在先進製程的搭配下,實現更高的晶片整合。
2010 年 10 月 07 日

連結跨國資源 工研院3DIC實驗室啟用

工研院於日前成立三維立體積體電路(3DIC)研發實驗室,樹立台灣晶片技術由平面走向立體堆疊與異質整合的里程碑。該實驗室在經濟部科專計畫的支援下,預計在4年間投入新台幣16億元的研發經費,並在先進堆疊系統與應用研發聯盟(...
2010 年 07 月 02 日

後段驗證流程待突破 3D IC量產化挑戰重重

在學界與研究機構的努力下,以立體架構實現晶片設計已不是遙不可及的理想。然而,學術研究與產業的需求畢竟不同。對於以概念驗證為出發點的學界而言,3D IC的量產性並非其主要考量,因此其所使用的設計輔助工具即便驗證功能仍不完備,仍不影響其應用;但產業界若要導入3D...
2010 年 02 月 22 日

異質整合當道 半導體商加碼先進封裝技術

製程微縮已不再是半導體方案發展的唯一出路。在晶圓代工業者與研究機構通力合作下,利用3D、矽穿孔等技術達到異質晶片整合的設計方法,已開始由實驗室走向商用量產,並成為實現未來創新應用方案的重要途徑。
2009 年 11 月 02 日

台積電與IMEC/SVTC攜手「超越摩爾」

為進一步強化異質整合技術能力,台積電日前先後與歐洲最大的奈米微電子技術研究機構IMEC及美國以從事研發為主的晶圓廠SVTC合作,分別成立創新育成聯盟,期加快創新技與產品的商用化速度。  ...
2009 年 10 月 30 日

異質整合當道 封裝技術成半導體顯學

封裝技術已逐漸凌駕晶圓製程技術,成為未來半導體功能整合時不可或缺的關鍵能力。尤其在超越摩爾定律(More than Moore)與異質整合等新發展思潮的帶動下,包括三維晶片(3D IC)與矽穿孔(TSV)等先進封裝技術更是半導體製造商與IC設計業者戮力布局的新重點。 ...
2009 年 10 月 08 日

搶食影像感測器市場 大陸封裝廠率先量產TSV

封裝技術智財權(IP)授權廠商Tessera近日已與兩家中國大陸封裝服務供應商簽定授權協定,未來這兩家封裝廠商將以Tessera所提供的矽穿孔(TSV)技術,提供影像感測器系統級封裝(SiP)服務,而包括Aptina及豪威(OmniVision)等主要影像感測器廠商,均已開始洽談產能合作事宜,試圖在手機相機模組市場取得有利發展位置。 ...
2009 年 09 月 07 日