因應10奈米/3D IC製程需求 半導體材料/封裝技術掀革命

半導體材料與封裝技術即將改朝換代。因應晶片製程邁向10奈米與立體設計架構,半導體廠正全力投入研發矽的替代材料,讓電晶體在愈趨緊密的前提下加強電洞和電子遷移率;同時也持續擴大高階覆晶封裝技術和產能布局,以加速3D...
2013 年 04 月 15 日

英特爾Haswell架構翻新 電源IC商機駕到

英特爾(Intel)第四代Core處理器–Haswell將為電源IC供應商帶來新的商機。英特爾2013年下半年將推出的Haswell,將把上一代處理器平台整合的電源功能獨立出來,並特別在中央處理器(CPU)增加Turbo...
2013 年 04 月 15 日

英特爾/三星難壯大 台積電穩居晶圓代工龍頭

英特爾、三星近來雖積極擴大晶圓代工業務布局,但由於同時也投入自有行動處理器開發,因此其他一線晶片業者為避免技術外流,皆不傾向由其代工,致使兩家IDM的晶圓代工業務規模難以擴大,短期內仍無法撼動台積電的龍頭地位。
2013 年 04 月 11 日

蘋果A7訂單生變 三星今年資本支出縮水逾兩成

三星(Samsung)今年資本設備支出(CAPEX)大縮水。受到蘋果(Apple)新一代A7處理器部分訂單將轉投其他晶圓代工廠影響,三星2013年資本支出將從去年的121億一口氣降至95億美元,年減幅度高達21.5%。相形之下,英特爾(Intel)、台積電為擴大先進製程領先優勢,則競相加碼投資,呈現兩樣情。 ...
2013 年 04 月 10 日

搶進Phablet 英特爾加速研發AP/BB整合方案

英特爾正積極將觸角伸及平板手機(Phablet)領域。5~7吋Phablet設計風潮席捲全球手機品牌廠,近來積極擴展行動事業的英特爾當然也不願錯失卡位良機,除針對Phablet提高運算、聯網效能需求,制定22奈米(nm)四核心處理器量產計畫外,並設立研發團隊強攻整合基頻晶片的SoC,全力拉攏手機業者。 ...
2013 年 04 月 01 日

卡位10奈米世代 台積、漢辰搶布新製程/設備

台積電與漢辰正積極研發新製程與設備技術。由於半導體進入10奈米製程世代後,電晶體的微縮將面臨物理極限,亟需新的材料、製程與設備加以克服;因此台積電與漢辰皆已針對未來可望取代矽的鍺和三五族元素,分別投入發展新的晶圓製程,以及離子布植(Ion...
2013 年 03 月 28 日

瞄準家用NAS市場 英特爾發布低功耗Atom SoC

因應日益增加的多螢和1,080p高畫質影音傳輸需求,英特爾(Intel)推出針對NAS儲存裝置的高整合系統單晶片產品,可望挾更小的尺寸、功耗和處理效能,滿足原始設計製造商(ODM)、原始設備製造商(OEM)系統設計的要求。 ...
2013 年 03 月 28 日

行動產品汰換快速 半導體設備業購併潮再現

行動裝置已取代PC成為半導體產業成長主要動能,然而其市場和產品規格快速變動的特性,也為半導體製造商帶來極大挑戰,因此上游設備供應商無不積極進行縱向與橫向整併,以有效整合研發資源並擴展技術能量,協助半導體廠快速回應市場需求。
2013 年 03 月 25 日

改搭光學觸控 Ultrabook觸控模組成本降40%

觸控式Ultrabook成本可望大幅縮減。德商戴樂格(Dialog)日前發表創新光學觸控晶片與模組參考設計,該方案可透過紅外線平面散射偵測(PSD)技術實現多點觸控,而不須採用氧化銦錫(ITO)導電膜;相較於一般中大尺寸投射式電容觸控模組,成本可減少40%以上,組裝良率也顯著提升,有助加速觸控式Ultrabook價格下滑。 ...
2013 年 03 月 25 日

低價7吋機種火紅 平板晶片戰局丕變

英特爾(Intel)、聯發科平板晶片市占率可望加速攀升。華碩、宏碁、聯想和惠普(HP)等PC品牌廠正競相開發低價7吋平板,除了互拼價格以外,也祭出規格差異化策略,廣納英特爾、聯發科或中國大陸IC設計廠的新款處理器;此將加快上述晶片商在平板市場的滲透速度,進而瓜分輝達(NVIDIA)、德州儀器(TI)的高市占率,並牽動整體市場出貨排名變化。 ...
2013 年 03 月 19 日

觸控面板產能不足 Ultrabook下半年才有量

超輕薄筆電(Ultrabook)下半年出貨量可望大增。受到大尺寸觸控面板產能吃緊,以及英特爾(Intel) 22奈米Haswell處理器今年中才會量產影響,PC品牌廠對上半年Ultrabook的出貨規畫轉趨保守,須待下半年新處理器與觸控面板產能相繼到位後才會火力全開,並以搭載觸控功能的新機種,搶攻年底銷售旺季商機。 ...
2013 年 03 月 18 日

半導體材料掀革命 10nm製程改用鍺/III-V元素

半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(Epitaxy Layer)普遍採用的矽材料,在邁入10奈米技術節點後,將面臨物理極限,使製程微縮效益降低,因此半導體大廠已相繼投入研發更穩定、高效率的替代材料。其中,鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率,提升晶片效能與省電效益,已被視為產業明日之星。 ...
2013 年 03 月 15 日