德州儀器擴大16位元微控制器記憶體容量

德州儀器(TI)推出具有嵌入式512K快閃記憶體與64K RAM的MSP430F66xx微控制器(MCU),為其16位元微控制器產品系列提供前所未有的大容量記憶體。   ...
2013 年 01 月 30 日

晶圓測試需求增 愛德萬拓展MEMS探針卡測試

愛德萬測試(Advantest)即將在台灣擴展微機電(MEMS)探針卡(Probe Card)業務。看好智慧電視、液晶(LCD)面板相關半導體元件發展,2013年愛德萬將開拓機電系統(Mechatronics...
2013 年 01 月 18 日

MPU/記憶體驅動 28奈米製程需求火熱

微處理器(MPU)及記憶體帶動28奈米製程需求攀升。受惠行動裝置尤其是手機、平板裝置與超輕薄筆電(Ultrabook)市場當紅,微處理器與記憶體不僅需求攀升,還積極朝最新的28奈米(nm)製程演進,促使28奈米製程需求高漲。 ...
2012 年 05 月 25 日

創造殺手級3D IC產品 CPU/記憶體堆疊勢在必行

中央處理器(CPU)的記憶體使用量極高,且占據CPU近三分之二的面積,經常成為效能、良率與測試的技術瓶頸;因此,若能利用矽穿孔(TSV)技術,將CPU與記憶體進行堆疊,將可打造晶片間傳輸速度更快、雜訊更小且效能更佳的新一代三維晶片(3D...
2012 年 01 月 16 日

開創記憶體產業新機 工研院/Intel攜手合作

工研院與英特爾(Intel)簽署新架構記憶體合作協議,可望振興台灣記憶體產業。為解決未來高運算量行動裝置記憶體與中央處理器(CPU)資料傳輸所造成的大量能源消耗,英特爾與經濟部和工研院合作,開發下世代記憶體技術,除因應市場需求變化外,未來此新記憶體研發成果,亦有助強化台灣記憶體製造商的競爭力。 ...
2011 年 12 月 07 日

20奈米製程聲聲催 EUV光罩/晶圓檢測發展趕進度

在先進製程邁入20奈米之際,半導體設備商正積極透過策略結盟方式發展EUV光罩缺陷檢測系統,以加速實現EUV技術應用於20奈米節點的目標;另一方面,擁有更高晶圓缺陷檢測精準度與吞吐量的電子束晶圓缺陷檢視設備,需求也逐漸看漲。
2011 年 10 月 03 日

搶攻20奈米缺陷檢測 科磊eDR-7000上陣

值此晶圓廠先進製程邁入20奈米以下的世代交替之際,讓更高晶圓缺陷檢測精準度與速度的電子束(e-beam)晶圓缺陷檢視設備重要性劇增。也因此,科磊(KLA-Tencor)瞄準20奈米(nm)及以下製程節點發表eDR-7000,將為挹注2012年可觀營收貢獻的利器。 ...
2011 年 08 月 17 日

因應手機異質整合趨勢 科統擁抱PoP技術

隨著智慧型手機、平板裝置等行動裝置的功能漸趨多元,內部系統也必須整合更多異質元件。原本戮力於記憶體多晶片封裝(MCP)技術的科統即規畫於今年推出封裝級封裝(Package on Package, PoP)的產品,藉此提供整合異質功能的單晶片產品。 ...
2011 年 01 月 20 日

散熱問題迎刃解 LED成TSV開路先鋒

發光二極體(LED)市場火熱,但LED的散熱問題卻一直是造成LED難以大量普及的關鍵之一。原本為實現3D IC設計而研發的矽穿孔(TSV)技術,意外成為許多LED磊晶業者解決晶片散熱問題釜底抽薪之計,甚至可望搶在記憶體、高速邏輯晶片之先,成為TSV應用的開路先鋒。 ...
2010 年 08 月 17 日

GSA出版2010年記憶體研討會報告

全球半導體聯盟(GSA)正式宣布出版2010 GSA記憶體研討會報告(Memory Conference Report)。GSA於2010年3月16日在台北盛大舉行GSA記憶體研討會,邀請到許多產業領袖及來自記憶體領域跟系統廠商的專家和分析師,以「結合記憶體及邏輯IC(Logic...
2010 年 07 月 07 日

LED擴產挹注 晶圓廠資本支出激增117%

受到發光二極體(LED)晶圓廠大舉擴張產能的帶動,2010年全球晶圓廠資本支出可望較去年勁揚117%,達355億1,400萬美元,其中,又以LED晶圓廠資本支出成長幅度最為驚人,國際半導體設備材料產業協會(SEMI)預估,今明兩年LED總產能將分別成長33%和24%。 ...
2010 年 06 月 14 日

躍居主流記憶體技術 硫系化合物PCM捨我其誰

硫系化合物是由元素週期表第十六族元素組成的合金(舊式元素週期表:第VIA族或第VIB族)。在室溫條件下,這些合金的非結晶和結晶狀態都十分穩定。其中鍺銻碲(GeSbTe, GST)合金是最被看好的,已成為變相記憶體(PCM)構成的重要技術.
2010 年 05 月 31 日