IR推出IGBT線上選擇工具

全球功率半導體和管理方案廠商國際整流器(IR),推出線上絕緣閘雙極電晶體(IGBT)選擇工具。此工具有效優化多種應用設計,其中包括馬達驅動、不斷電系統(UPS),太陽能逆變器與焊接。新的線上選擇工具有助工程師迅速、輕鬆地比較選擇,從而為他們的設計選出最理想的IGBT。 ...
2010 年 08 月 23 日

安捷倫擴展電源量測模組產品陣容

安捷倫(Agilent)發表兩款可用於Agilent N6700系列模組化電源系統的電源量測模組(SMU),其一是可用來進行電池耗電分析的Agilent N6781A二象限電源量測模組,另一款則是用於功能測試的Agilent...
2010 年 06 月 23 日

凌力爾特發表適合熱能採集的電源管理IC

凌力爾特(Linear Technology)發表高度整合的升壓直流對直流(DC-DC)轉換器及電源管理IC–LTC3109,此元件專門設計以啟動和操作於毫伏輸入電壓源,諸如熱電發電機(TEG)及熱電堆等。該元件突破性及專利的自動極性(Auto-polarity)架構,使其能從低如±30毫伏特的輸入電壓產生可用電源,而能在低如±1℃的溫差採集能量,取代傳統電池供電,因此成為輸入電壓極性未知或反轉之應用的理想能量採集方案。 ...
2010 年 06 月 18 日

Intersil電源解決方案通過賽靈思測試

英特矽爾(Intersil)發表針對賽靈思(Xilinx)Spartan-6現場可編程閘陣列(FPGA) SP623與Virtex-6 FPGA ML623特性描述套件而開發的小型化高效能負載模塊(Point-of-load,...
2010 年 06 月 18 日

矽磊國際提供全系列室內外照明整合平台

自歐洲節能案推動後,矽磊國際(Siliconray)也開始陸續在中國、台灣、香港、日本及北美等地推動綠化產業與減碳解決平台,因應不同的人文提供不同的產品線。目前已對台灣北中南社區之地下停車場(點燈時數:24Hrs)與各大企業,提供T8...
2010 年 05 月 21 日

凌力爾特推出可熱插拔 I2C 隔離器

凌力爾特(Linear Technology)發表可熱插拔的I2C隔離器– LTC4310。其可提供兩個接地端彼此隔離之I2C匯流排間的雙向通訊,並透過編碼和延展SDA和SCL訊號至四個單向通道而簡化了I2C隔離,可使四組數位傳輸和接收訊號透過乙太網路(Ethernet)變壓器橋接,以針對較低電壓差動達到橫跨高於1,500VRMS的壓差或電容通訊。 ...
2010 年 04 月 28 日

縮減尺寸/成本 電源方案整合大勢所趨

隨著市場對小尺寸的系統電路的需求持續成長,且對解決方案的電路板占用空間要求日益嚴苛,晶片供應商面臨的整合壓力也隨之上升,即使在電源解決方案領域也是如此。為了回應市場對高整合解決方案的要求,MOSFET與控制IC結合已成一大趨勢。
2010 年 03 月 15 日

凌力爾特新款電池充電系統IC亮相

凌力爾特(Linear Technology)推出LTC4070,其為一款用於鋰離子/聚合物電池的易用、極小分流電池充電系統IC。LTC4070透過450奈安培(nA)操作電流,可從先前無法使用的非常低電流、間歇或連續充電源充電及保護電流。 ...
2010 年 02 月 24 日

凌力爾特簡化隔離式DC-DC轉換器設計

凌力爾特(Linear Technology)發表LT3574,其為一隔離式完整返馳切換轉換器,可簡化低功耗隔離式直流對直流(DC-DC)轉換器之設計。此元件不需以光耦合器、第三個繞組或訊號變壓器進行回授,因為輸出電壓可從一次側返馳訊號進行感測。 ...
2010 年 02 月 11 日

走出封閉格局 無線充電邁向標準化

隨著以磁力感應為基礎的無線電力技術在傳輸功率與效率迭有突破,其應用範圍已從電動牙刷等防水性要求嚴苛的電子產品拓展到手機、個人數位助理(PDA)等可攜式裝置的無線充電套件。然由於應用範圍日廣,缺乏標準規範和相容性驗證的問題也漸漸浮上檯面,成為業界必須面對的難題。 ...
2010 年 02 月 09 日

Intersil最新電源模組系列簡化設計

英特矽爾(Intersil)發表ISL8204M和ISL8206M兩個採小型化設計的電源模組系列。ISL-8204M和ISL8206M可在單一表面黏著封裝之內,提供完整的交換式電源供應,模組內含一個脈衝寬度調變(PWM)控制器、電源電源金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、電源電感器和離散元件。 ...
2010 年 02 月 08 日

GCD技術突破 特徵分析加速MOSFET演進

對先進大功率金屬氧化物場效電晶體(MOSFET)而言,為了提高成本效益,改進如導通阻抗(Rdson)、崩潰電壓(BVdss)和柵極電荷(Qg)等關鍵元件參數,同時大幅縮小電晶體尺寸都是十分重要的。要滿足這些嚴苛的要求,必須採用高效能的特徵化技術來分析垂直MOSFET的重要區域,如矽漂移(漏)區、漏到井結區域,以及源/阱金屬接觸區。
2010 年 01 月 28 日