製造商衝刺產能 半導體資本設備支出年增17.1%

2014年半導體產業資本支出維持漲勢。市場研究機構Gartner指出,消費性電子產品需求提升以及記憶體售價上揚,激勵半導體廠在今年加碼投資,以提高產能,因而再度推升2014年半導體產業整體資本支出。 ...
2014 年 10 月 23 日

英飛凌供應三星Galaxy S5八款射頻元件

英飛凌(Infineon)為三星(Samsung)智慧型手機Galaxy S5,提供共八款無線射頻(RF)元件,包含長程演進計畫(LTE)低雜訊放大器(LNA)、四頻LNA模組(Quad LNA Banks)、全球衛星定位系統(GPS)LNA與SPDT...
2014 年 07 月 28 日

三星/樂金搶市 智慧照明開啟新戰局

智慧照明市場戰火愈來愈激烈。韓國兩大電子品牌三星(Samsung)及樂金(LG),在日前德國法蘭克福舉辦的「Light+Building 2014」展中,正式跨足智慧照明領域,並分別發布最新燈泡方案,讓原本由歐美品牌廠所主導的市場態勢,呈現新的競爭局面。
2014 年 05 月 15 日

三星/LG加入戰局 智慧照明市場熱度升溫

三星(Samsung)與樂金(LG)相繼插旗智慧照明(Smart Lighting)市場。三星與LG於日前紛紛發表採用藍牙(Bluetooth)及無線區域網路(Wi-Fi)做為通訊技術的發光二極體(LED)智慧照明方案,欲藉此與飛利浦(Philips)獨占鰲頭的Hue方案一較高下。 ...
2014 年 04 月 07 日

處理器大廠相挺 LPDDR3加速滲透行動市場

低功耗第三代雙倍資料率記憶體(LPDDR3)將加速滲透至行動裝置市場。隨著LPDDR3價格逐漸降至甜蜜點,加上不少處理器大廠都將在2014年全面支援,行動裝置品牌廠擴大採用LPDDR3之意願已明顯攀升,可望加速行動記憶體全面改朝換代。 ...
2014 年 02 月 11 日

中低價手機成長迅猛 28奈米製程營收續飆高

28奈米製程需求將持續火熱。中低價手機出貨成長大爆發,激勵處理器業者加快導入28奈米製程,以打造高整合度且更具經濟效益的系統單晶片(SoC)解決方案,可望在2014~2015年掀動另一波28奈米製程商機,包括台積電、聯電和三星(Samsung)等晶圓代工廠皆不斷擴充產能,甚至推出新一代低成本28奈米製程服務,積極卡位市場。 ...
2014 年 01 月 23 日

三星/聯發科競投入 64位元處理器大戰激烈開打

2014年64位元處理器戰火將愈演愈烈。繼蘋果(Apple)、高通(Qualcomm)接連發布64位元處理器方案後,三星(Samsung)、聯發科亦磨刀霍霍,預計於2014年跟上64位元處理器設計風潮,讓處理器廠商間的角力大戰將一觸即發。 ...
2013 年 12 月 31 日

鎖定超高階行動裝置 三星8Gb LPDDR4問世

三星(Samsung)30日發布業界首款8Gb的低功耗第四代雙倍資料率(LPDDR4)行動動態隨機存取記憶體(Mobile DRAM)。為符合未來高階行動裝置將漸漸往64位元處理器、超高解析度(UHD)螢幕等高規格設計靠攏,三星針對此需求開發出高傳輸速率、高效能、高記憶體密度容量的8Gb...
2013 年 12 月 31 日

垂涎TLC SSD商機 NAND Flash廠強化控制器布局

NAND快閃記憶體(NAND Flash Memory)業者正積極布局三層式儲存(TLC)固態硬碟市場。三星(Samsung)於2012下半年以其優良的控制技術,成功推出具性價比優勢的TLC固態硬碟後,已吸引許多NAND快閃記憶體業者加緊強化其控制器技術,以期能循三星模式搶攻TLC固態硬碟商機。 ...
2013 年 12 月 16 日

R&S與三星完成LTE-A上行載波聚合驗證

羅德史瓦茲(Rohde & Schwarz)與三星(Samsung)率先完成R10上行載波聚合功能的測試與驗證;三星的待測物為Samsung SHANNON300數據機晶片,透過已具備進階長程演進計畫(LTE-Advanced)測試能量的羅德史瓦茲CMW500寬頻無線通訊測試儀對其待測物進行測試。 ...
2013 年 12 月 06 日

賽普拉斯CapSense控制晶片獲三星採用

賽普拉斯(Cypress)宣布半導體分析機構Chipworks公布的拆機報告,發現賽普拉斯的CapSense控制晶片被用在三星(Samsung)Galaxy Note 3智慧型手機,用來驅動「選單」與「回退」按鈕。Chipworks的Galaxy...
2013 年 11 月 12 日

TSV助臂力 3D NAND記憶體性能更上層樓

矽穿孔(Through-silicon Via, TSV)將是三維NAND快閃記憶體(3D NAND Flash Memory)效能不斷提升的重要技術。現今NAND快閃記憶體已面臨製程微縮的瓶頸,各家廠商無不戮力開發3D...
2013 年 11 月 11 日