科林乾式光阻技術建立28奈米間距高解析度圖案化

Lam Research科林研發宣布其創新的乾式光阻(dry resist)技術可直接印刷28奈米間距之後段(BEOL)邏輯製程,適用於2nm及以下先進製程,現已獲得在奈米電子與數位技術領域的研究與創新中心imec所認證。乾式光阻是科林研發推出的先進圖案化技術,可提高極紫外光(EUV)微影的解析度、生產量和良率,而極紫外光(EUV)微影是生產下世代半導體元件的關鍵技術。...
2025 年 01 月 22 日