ROHM量產溝槽構造SiC-MOSFET

羅姆(ROHM)研發出採用溝槽結構的SiC-金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比,同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%,將降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗。 ...
2015 年 08 月 17 日