充電晶片整合度再突破 功率密度不輸GaN
在氮化鎵(GaN)元件進入量產階段後，許多周邊配件業者與品牌商，都競相推出基於GaN元件的USB快速充電器，並以更快的充電速度，更小巧的體積作為其主要訴求。得益於寬能隙特性所具備的特性優勢，跟傳統矽材料相比，基於GaN元件的電源裝置確實在功率密度上有更大的提升空間，但這並不表示傳統的電源元件已經無法與GaN競爭。德州儀器(TI)近期便發表了一款整合功率路徑管理的升降壓電池充電器晶片，其效率可達97%，並且將功率密度拉高到155W/mm2，規格絲毫不遜於基於GaN材料的同類型晶片。...
2020 年 08 月 12 日
