ESG壓力山大 半導體產業鏈全力接招

雖然艾司摩爾(ASML)並未公布EUV設備耗電量數字,但業界普遍認同,由於EUV光源的能源轉換效率只有0.02%上下,導致EUV設備的耗電量,可達傳統氬氟雷射(ArF)的10倍以上。以250W輸出功率計算,一台EUV每天就要消耗3萬度電力。...
2022 年 09 月 05 日

EUV微影面臨六大挑戰 材料工程/計量技術解難題

半個多世紀以來,傳統摩爾定律2D縮放定義了半導體產業的技術路線圖。在2000年左右的Dennard縮放時代,半導體業界每兩年可以將電晶體尺寸縮小50%。 圖1 從1970年代至今,電晶體微縮的方法已走過三個階段...
2022 年 09 月 01 日

材料/EDA全面動員 先進製程繼續向前走

由於美中科技戰越演越烈,美國政府對半導體曝光設備出口到中國,訂下越來越嚴密的規範,導致在中文科技媒體圈裡面,對曝光設備,尤其是專門用來實現7奈米以下製程的極紫外光(EUV)曝光機的討論,已到了汗牛充棟的地步。有許多觀點甚至將中國半導體製造業發展先進製程時所遭遇到的問題,都歸咎在美國政府對中國的禁運上。但半導體製造技術的發展,除了曝光、沉積、蝕刻這些關鍵步驟所使用的機台外,環繞在這些設備周邊的材料,也會對設備本身的性能、生產良率的高低,產生巨大影響。...
2022 年 09 月 01 日

默克推環保光阻去除劑材料新品

默克近日宣布推出用於光刻製程的全新系列環保化學品,此產品藉由默克在半導體製造先進材料方面的成熟專業知識,提供了關鍵解決方案。AZ Remover 880光阻去除劑是默克採用全新配方、非基於會危害環境的NMP(N-甲基吡咯烷酮)化學品系列中的第一款產品,可滿足5G和先進晶圓級封裝製程技術的需求,並克服掀離(Lift-Off)製程中的線寬縮小的極限,以及良率和成本的挑戰。...
2018 年 09 月 19 日