功率需求持續高漲　先進電源設計攻克應用挑戰(2)

隨著應用發展，對於電源的要求也更加嚴苛，業者在進行產品設計時，需要確保精準控制並降低雜訊，以滿足高階應用需求。與此同時，氮化鎵(GaN)應用市場前景可期，相關電源產品設計也需要考量應用需求，選用合適方案。...
2024 年 02 月 27 日

英飛凌出售菲律賓/南韓後段廠予日月光

英飛凌(Infineon)和日月光共同宣布，雙方已簽署最終協議，英飛凌將出售位於菲律賓甲米地和韓國天安的兩個後段製造工廠予日月光的兩個全資子公司。這兩座目前分別由Infineon Technologies...
2024 年 02 月 23 日

碳化矽肖特基熱性能表現佳(1)

碳化矽是一種寬能隙的材料，因此與矽類的元件相比，它可以承受更高的電壓後才崩潰，以及在高溫下承受更高的電壓。碳化矽與生俱來的更高能力使碳化矽肖特基二極體的反向擊穿電壓遠高於1,200伏特，且同時能夠在小型封裝中提供數十安培的正向電流。...
2023 年 08 月 16 日

碳化矽肖特基熱性能表現佳(2)

碳化矽是一種寬能隙的材料，因此與矽類的元件相比，它可以承受更高的電壓後才崩潰，以及在高溫下承受更高的電壓。碳化矽與生俱來的更高能力使碳化矽肖特基二極體的反向擊穿電壓遠高於1,200伏特，且同時能夠在小型封裝中提供數十安培的正向電流。...
2023 年 08 月 16 日

羅姆/Vitesco簽署SiC功率元件長期供貨合作協定

羅姆(ROHM)於2023年6月19日與緯湃科技(Vitesco Technologies)簽署了碳化矽(SiC)功率元件的長期供貨合作協定。根據該合作協定，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1,300億日幣。...
2023 年 06 月 21 日

ROHM開始量產650V耐壓GaN HEMT

羅姆(ROHM)已開始650V耐壓氮化鎵(GaN)HEMT「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產，該二款產品非常適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。 據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半，為實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵，碳化矽(SiC)和GaN等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN...
2023 年 05 月 22 日

瑞薩推出新款車用智慧型功率元件

瑞薩電子(Renesas)宣布推出新款車用智慧型功率元件(IPD)，為車內電源配置提供安全靈活的解決方案，以滿足新一代E/E(電氣/電子)架構的要求。新的RAJ2810024H12HPD採用小型TO-252-7封裝，與傳統TO-263封裝產品相比，占用面積減少約40%。此外，其先進的電流檢測功能可以提供更高精度檢測過電流或是異常電流的能力。新的IPD即使在極低負載下也能檢測出異常電流，工程師可以藉此設計出高度安全和精確的電源控制系統。...
2023 年 02 月 04 日

化解GaN功率元件可靠度疑慮　Transform發表最新評估報告

氮化鎵功率元件供應商Transphorm近日發表了針對其氮化鎵元件的最新可靠性評估資料。其失效率(FIT)評估是以客戶現場應用中失效的元件數為基礎。迄今為止，基於超過850億小時的現場應用資料，該公司全系列產品的平均失效率(FIT)小於0.1。對電源應用開發者而言，氮化鎵元件的可靠度一直是其評估是否導入時，最大的疑慮之一。Transphorm這次評估的結果，是業界報導過的最好的評估結果之一。...
2022 年 12 月 19 日

Transphorm深圳辦事處擴大GaN應用實驗室

Transphorm宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(WFOE)，Transphorm的深圳辦事處將負責加強當地客戶支援、銷售和市場行銷工作，另外，該辦事處將作為當地支援客戶開發氮化鎵(GaN)電源系統的應用實驗室，並同時支援全球研發工作。深圳辦事處將由Transphorm現任亞洲銷售副總裁Kenny...
2022 年 12 月 08 日

基本半導體與羅姆簽訂戰略合作協定

日前，基本半導體與羅姆(ROHM)在位於日本京都的羅姆總部簽訂車用碳化矽(SiC)功率元件之戰略合作夥伴協定。 此次簽約，雙方將充分發揮各自的產業優勢，就碳化矽功率元件的創新升級、性能提升等方面展開深度合作，開發出更先進、更高效、更可靠的新能源車碳化矽解決方案。...
2022 年 11 月 24 日

東芝第三代碳化矽MOSFET提高工業設備效率

東芝推出全新功率元件「TWxxNxxxC系列」。這是其第三代碳化矽MOSFET，具有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種1200V和5種650V產品，已經開始出貨。 新產品將單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)降低了約43%，使代表傳導損耗和開關損耗之間關係的重要指標漏源導通電阻*閘-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)降低了約80%。開關損耗也減少了約20%，因而同時降低了導通電阻和開關損耗。這些新產品可提高設備效率。...
2022 年 10 月 20 日

設備/製程同步升級　銅接合封裝挑戰迎刃解

功率電子在許多應用中呈指數增長，例如可再生能源系統和電動汽車。對這類應用來說，設備的可靠性和壽命是主要關注點。一般而言，在可靠性測試中，上部和下部間的互連，是最容易出現失效的區域。在將更高效的晶片連接技術，如銀燒結用於下部互連後，上部的傳統鋁(Al)線互連，會成為功率電子設備可靠性的瓶頸。...
2022 年 06 月 09 日
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