富士通推出150V GaN功率元件

富士通(Fujitsu)推出矽基板氮化鎵(GaN)功率元件晶片–MB51T008A,耐電壓能達到150伏特(V)。MB51T008A的初始性能狀態為常關型(Normally-off),與同級耐電壓的矽功率元件相比,MB51T008A的優值因數(FOM)可减低將近一半。採用富士通半導體的GaN功率器件,客戶能設計出體積更小、效率更高的電源元件,並廣泛運用於家電、資通訊科技(ICT)設備和汽車電子等領域。 ...
2013 年 07 月 29 日

大尺寸晶圓量產卡關 GaN-on-Si基板發展陷膠著

矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板技術發展添變數。囿於大尺寸GaN-on-Si晶圓製造良率遲遲無法提升,不少LED磊晶廠已開始考慮降低投資金額,或轉而投入技術門檻較低的功率元件應用市場,讓原本備受期待的GaN-on-Si...
2013 年 06 月 20 日

ST發布高效能功率元件

意法半導體(ST)推出能夠降低電信系統、運算系統、太陽能逆變器、工業自動化以及汽車電子等應用對環境影響的新一代高效能功率元件。 意法半導體全新STripFET VII DeepGATE金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)擁有目前市場銷售的80伏特(V)和100伏特功率電晶體中最高的導電效率,同時提高開關效率。此外,新產品有助於簡化設計,使用數量更少且封裝更小的元件,可減少系統功耗和提高能效目標,從而降低了設備尺寸和成本。 ...
2013 年 05 月 31 日

內建智慧診斷功能 高側開關提升汽車電路保護

智慧型功率元件有助於強化汽車電路保護功能。由於智慧型高側開關為標準化元件,不僅產品取得方便、軟體複雜度較低,且符合汽車二級市場在設計和生命週期上的要求,再加上內建電路診斷和保護功能,因而能進一步提升汽車電路安全等級。
2013 年 01 月 14 日

提升設備輕載效率 電源設計手法大翻新

隨著雲端發展風潮興起,伺服器與終端裝置的節能要求已日益受到市場重視。因此,電源晶片與設備製造商已分別從材料、封裝、軟體及拓撲架構等層面著手,開發新一代解決方案,甚至開始改用數位式電源設計架構,以提高雲端設備在輕載時的電源轉換效率。
2012 年 05 月 07 日