馬自達與ROHM聯合開發氮化鎵功率半導體車載元件

馬自達與ROHM開始聯合開發採用次世代半導體技術—氮化鎵(GaN)功率半導體的車載元件。馬自達與ROHM自2022年起,在「電驅動單元的開發與生產合作體系」中,一直在推進搭載碳化矽(SiC)功率半導體的逆變器聯合開發。此次雙方再著手開發採用GaN功率半導體的車載相關元件,為次世代電動車打造出創新型的車載元件產品。...
2025 年 03 月 28 日

SiC固態電池斷路器設計有眉角 中高電壓功率元件效能再升(1)

與傳統機械斷路器相比,固態斷路器具有系統級優勢,關鍵在於碳化矽和功率半導體封裝的優勢。本文討論了關於固態電池斷路器中高電壓功率元件的選擇和設計的關鍵。 得益於固態電路保護,直流母線電壓為400V或以上的電氣系統,由單相或三相電網電源或儲能系統(ESS)供電,可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態電池斷路器時,需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、元件類型、熱封裝、元件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。...
2025 年 02 月 19 日

SiC固態電池斷路器設計有眉角 中高電壓功率元件效能再升(2)

與傳統機械斷路器相比,固態斷路器具有系統級優勢,關鍵在於碳化矽和功率半導體封裝的優勢。本文討論了關於固態電池斷路器中高電壓功率元件的選擇和設計的關鍵。 熱封裝 (承前文)SiC功率模組可實現更高等級的系統優化,這很難透過並聯分立MOSFET來實現。廠商如Microchip的mSiC模組具有多種配置以及電壓和電流額定值。其中包括共源配置,該配置以反串聯的方式連接兩個SiC...
2025 年 02 月 19 日

英飛凌推進8吋碳化矽晶圓量產 首批產品即將交貨

英飛凌(Infineon)近日在8吋碳化矽(SiC)量產方面取得重大進展。該公司將於2025年第一季向客戶供貨首批採用先進8吋SiC晶圓製程的產品。這些產品在位於奧地利菲拉赫的生產基地製造,將為高壓應用領域,包括再生能源系統、軌道運輸和電動車等,提供業界領先的SiC電源技術。此外,英飛凌位於馬來西亞居林的生產基地正在從6吋晶圓向更大、更高效的8吋晶圓過渡。新建的第三廠區將根據市場需求開始大批量生產。...
2025 年 02 月 18 日

GaN產能與價格雙重助攻 碇基搶灘AI高功率電源需求

氮化鎵(GaN)功率半導體在消費性電子領域已累積成熟的基礎,廣泛用於快充充電器等,2025年氮化鎵應用將進一步擴大。 整體產業持續擴充產能 碇基半導體產品行銷經理謝穠懋觀察,由於8吋、12吋氮化鎵晶圓產能陸續開出,加上製程技術成熟度提升以及價格下降,預期2025年是氮化鎵元件發展的元年,其應用預期如雨後春筍大量進入市場。同時Fabless的氮化鎵廠商,也在台積電氮化鎵代工製程較為成熟、良率穩定之下,透過代工合作供應氮化鎵元件。...
2025 年 02 月 18 日

ROHM SiC蕭特基二極體支援xEV系統高電壓需求

羅姆(ROHM)開發出引腳間沿面距離更長、絕緣電阻更高的表面安裝型SiC蕭特基二極體(以下簡稱SBD)。目前產品陣容中已經有適用於車載充電器(OBC)等車載應用的「SCS2xxxNHR」8款機型。另計畫於2024年12月再發售8款適用於FA設備和PV...
2024 年 11 月 18 日

日本會津廠新產線投產 德州儀器GaN產能大增4倍

德州儀器(TI)宣布,已開始在日本會津廠生產氮化鎵(GaN)功率半導體。隨著會津廠進入生產,加上位於德州達拉斯的現有GaN製造產能,該公司GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。 德州儀器在日本會津廠的氮化鎵(GaN)產能正式上線,讓該公司的GaN產能可望擴增4倍...
2024 年 10 月 25 日

英飛凌/AWL-Electricity以GaN功率半導體優化無線供電方案

英飛凌(Infineon)近日宣布與總部位於加拿大的AWL-Electricity合作,後者是MHz級電容耦合諧振式電力傳輸技術的領導者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN GS61008P,協助該公司開發先進的無線供電解決方案,為眾多產業開闢解決供電難題的新途徑。...
2024 年 10 月 24 日

是德科技推出3kV高電壓晶圓測試系統

是德科技(Keysight Technologies)推出4881HV高電壓晶圓測試系統,擴展其半導體測試產品組合。該解決方案可實現達3kV的參數測試,支援一次性完成高、低電壓測試,進而提高功率半導體製造商的生產效率。...
2024 年 10 月 17 日

英飛凌率先開發12吋GaN功率半導體製程技術

英飛凌(Infineon)宣布,已成功開發出全球首創12吋氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發展。相較於8吋晶圓,12吋晶圓因晶圓直徑的擴大,每片晶圓上的晶片數量增加了2.3倍,效率顯著提高。...
2024 年 09 月 16 日

劍指寬能隙商機 英飛凌馬來西亞居林3廠啟用

為搶食低碳經濟帶來的功率半導體商機,英飛凌(Infineon)過去幾年一方面積極發動購併,同時也在產能方面做出大量投資。日前,該公司位於馬來西亞居林的居林3廠一期廠房已正式投入營運,待二期廠房落成後,該廠區將成為全球最大的八吋碳化矽(SiC)晶圓廠,同時也有氮化鎵(GaN)磊晶的生產能力,為英飛凌在寬能隙功率半導體領域的競爭力,打下更穩固的基礎。...
2024 年 08 月 09 日

英飛凌/HD KSOE聯合開發船舶電氣化技術

英飛凌(Infineon)與HD韓國造船與離岸工程公司(HD Korea Shipbuilding & Offshore Engineering, HD KSOE)簽署合作備忘錄(MoU),標記了雙方為低碳節能,利用功率半導體技術聯合開發新興船用發動機和機械電氣化的第一步。...
2024 年 05 月 17 日