羅姆旗下SiCrystal與ST擴大SiC晶圓供貨協議

羅姆(ROHM)與意法半導體(ST)宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal現有之6吋碳化矽(SiC)基底晶圓多年長期供貨協定基礎上，繼續擴大合作。根據新簽訂的長期供貨協議，SiCrystal將對意法半導體擴大德國紐倫堡產的碳化矽基底晶圓供應，預計總金額不低於2.3億美元。...
2024 年 04 月 29 日

英飛凌/本田簽署MOU攜手開發車用半導體方案

英飛凌(Infineon)近日宣布與本田技研工業株式會社簽署合作備忘錄(MoU)，建立戰略合作夥伴關係。本田選擇英飛凌作為半導體合作夥伴，助其推進未來的產品和技術路線藍圖。雙方還同意就供應穩定性持續展開討論，鼓勵和促進相互之間的專業知識交流，並在加快新技術上市的專案上開展合作。...
2024 年 02 月 19 日

英飛凌/安克成立創新應用中心攜手開發PD快充方案

英飛凌(Infineon)近日宣布其與安克創新(Anker Innovations)在深圳聯合成立創新應用中心。該創新應用中心全面投入營運之後，將開發能夠更高能效，減少碳排放的充電解決方案，推動低碳化進程。...
2024 年 01 月 30 日

ROHM完成收購Solar Frontier原國富工廠

羅姆(ROHM)依據與Solar Frontier簽訂的基本協議，於11月7日完成了對該公司原國富工廠的資產收購工作。 經過整修之後，該工廠將作為ROHM旗下製造子公司LAPIS半導體的宮崎第二工廠展開運營。目前計畫作為SiC功率半導體的主要生產基地並於2024年年內投產。...
2023 年 11 月 08 日

ROHM推出LiDAR用120W高輸出功率雷射二極體

羅姆(ROHM)推出高輸出功率半導體雷射二極體RLD90QZW8，適用於搭載測距和空間識別用LiDAR的工控設備領域的無人搬運車(AGV)和服務機器人、消費性電子領域的掃地機器人等應用。 近年來在AGV、掃地機器人和自駕車等需要自動化工作的廣泛應用中，可以準確測量距離和識別空間的LiDAR日益普及。在此背景下，為了「更遠」、「更準確」地偵測到所需資訊，市場要求作為光源的雷射二極體能提高輸出功率和性能。...
2023 年 11 月 06 日

英飛凌完成收購GaN Systems公司

英飛凌科技(Infineon)宣布完成收購GaN Systems。這家總部位於加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵(GaN)功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束後，GaN...
2023 年 10 月 26 日

英飛凌/現代汽車/起亞汽車簽署功率半導體多年期供應協議

英飛凌科技(Infineon)與現代汽車(Hyundai Motor Company)、起亞汽車(Kia Corporation)簽署了一份碳化矽(SiC)以及矽(Si)功率半導體的多年期供應協議。直至2030年，英飛凌將為現代/起亞建立和儲備產能，供應SiC和Si功率模組和晶片。現代/起亞將透過資金支持該產能建立及儲備計畫。...
2023 年 10 月 20 日

DAH Solar整合型光伏系統採用Transphorm氮化鎵元件

Transphorm宣布，DAH Solar的世界首個整合型光伏(PV)系統採用了Transphorm氮化鎵平台，DAH Solar是安徽大恒新能源技術公司的子公司。該整合型光伏系統已應用在大恒能源的最新SolarUnit...
2023 年 10 月 16 日

ROHM/Solar Frontier就收購原國富工廠資產達成基本協議

羅姆(ROHM)宣布與Solar Frontier K.K.就收購該公司原國富工廠資產相關事宜達成基本協議。 此次收購計畫預計於2023年10月完成，此後國富工廠將成為ROHM集團的主要生產基地。 在實現無碳社會的過程中，ROHM的主要產品－半導體所發揮的作用也越來越大。尤其是在汽車和工控設備市場，為了減輕環境負擔並實現碳中和目標，電動化相關的技術創新日新月異，市場對功率半導體和類比半導體的需求也日益高漲。...
2023 年 07 月 14 日

ROHM超高速驅動控制IC技術發揮GaN元件性能

羅姆(ROHM)確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度發揮GaN等高速開關元件的性能。 近年來，GaN元件因具有高速開關的特性優勢而被廣泛採用，然而，如何提高控制IC(負責GaN元件的驅動控制)的速度已成為亟須解決的課題。...
2023 年 03 月 27 日

ST推出車規級表面黏著式封裝功率元件

意法半導體(ST)推出多種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體元件。相較於傳統穿孔型封裝，意法半導體先進之ACEPACK SMIT封裝能夠簡化組裝製程，提升模組的功率密度。 共有五款產品可供工程師選擇：兩個STPOWER...
2023 年 01 月 18 日

準確量測功率轉變　IGBT力降開關/傳導損耗

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的性能和效能可以透過其在導通(ON)和截止(OFF)狀態之間轉換時的開關損耗及傳導損耗來進行量化。典型性能較高的IGBT由同一個半導體封裝中的IGBT和二極體構成。IGBT和二極體都會產生組合損耗，需要考量它們的相互作用。...
2022 年 11 月 14 日
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