高密度電源需求大增 Si/SiC/GaN元件特性各有千秋

在資訊技術與科技快速進步的現代社會中,人們對電源系統的效率與體積的要求不斷提高。以行動智慧裝置為例,2000年初期的電源供應模組功率密度約為每安培1立方公分。而到了2025年,已接近每安培數立方毫米。在短短20年間,功率密度提升了兩到三個數量級,其進步速度可謂驚人。...
2025 年 01 月 23 日

德州儀器發表磁性封裝技術 電源模組尺寸縮小50%

體積更小、功率密度更高,是電源設計者持續追求的目標,市場對微型電源模組的需求也不斷成長。然而,電源系統中不可或缺的磁性元件,出於種種技術理由,通常不會被整合在這類電源模組中,使得磁性元件成為電源系統微縮的主要障礙。為了將磁性元件微型化,進而能夠被整合在電源模組中,德州儀器(TI)研發出磁性封裝(MagPack)技術,讓電感這類磁性元件得以被整合在封裝內部,並據此推出六款電源模組方案。這六款模組的體積比TI的前一代方案大幅縮小50%,且功率密度逼近1A/mm2里程碑,更可將EMI雜訊減少8dB。...
2024 年 08 月 07 日

德州儀器將於SEMICON論壇分享GaN技術優勢

德州儀器(TI)將出席SEMICON Taiwan 2022,副總裁暨台灣、韓國及南亞總裁李原榮並將於9月15日召開的功率暨光電半導體論壇中以「解析氮化鎵(GaN)技術優勢及其創新應用市場趨勢」為題發表演講,分享德州儀器的GaN技術優勢及其如何突破功率密度和效率極限成功應用於工業領域及更多創新市場。...
2022 年 09 月 07 日

專訪英飛凌電源與感測系統事業部大中華區協理陳志星 寬能隙功率元件GaN/SiC大有可為

半導體的應用越來越廣泛,隨著許多領域陸續電氣化,尤其5G、雲端運算、物聯網、電動車等趨勢,而為了提升效率與擴大應用規模,耐高電壓、更低導通電阻與更快切換速度的寬能隙半導體氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)迅速崛起,Infineon長期投入功率元件的開發,自然在當紅的第三代半導體擁有完整布局。
2021 年 09 月 30 日