設備及晶圓廠技術躍進 2013將為3D IC量產元年

3D IC將於2013年大量量產。由於半導體設備商、晶圓代工廠加碼投資,並全力衝刺技術研發,3D IC兩道關鍵製程--TSV及Via-Reveal已出現重大突破,包括台積電、聯電等晶圓大廠均將陸續導入量產,推助3D...
2012 年 10 月 07 日

搶賺3D IC第一桶金 台商攜手布局新材料

台灣半導體產業鏈正積極研發三維晶片(3D IC)新材料。由於3D IC引起一連串晶圓製程變革,帶動各種新興半導體黏著、填充材料需求;台灣半導體晶圓廠、研究單位、設備及材料商正研擬共同開發計畫,期突破關鍵材料掌握在歐、美、日外商手中的桎梏,強化3D...
2012 年 10 月 04 日

不再只聞樓梯響 18吋晶圓量產時程表出爐

18吋晶圓技術發展終於步上軌道。在G450C、SEMI及半導體設備大廠共同努力下,18吋晶圓製程設備及標準可望在2016年後逐一到位,將助力半導體產業在2018年順利從12吋晶圓,邁入18吋晶圓世代,包括台積電、英特爾均已揭露量產時程。
2012 年 10 月 04 日

搶搭Win 8換機潮 AMD次世代APU現身

超微(AMD)正全力衝刺下半年桌上型電腦市場。瞄準Windows 8作業系統對影像處理能力的需求愈來愈高,AMD推出新一代加速處理器(APU)–A10系列,不僅時脈最高達4.2GHz,且支援多螢幕輸出技術,可為使用者打造家庭劇院規格的個人電腦。 ...
2012 年 10 月 03 日

加碼擴產不手軟 晶圓代工廠車拚先進製程

晶圓代工廠在先進製程的競爭愈演愈烈。行動裝置對採用先進製程的晶片需求日益高漲,讓台積電、聯電、GLOBALFOUNDRIES與三星等晶圓廠,皆不約而同加碼擴大先進製程產能,特別是現今需求最為殷切的28奈米製程,更是首要布局重點。
2012 年 09 月 20 日

客製化CMP方案助攻 28奈米製程良率大躍升

化學機械研磨墊(CMP)將大幅提升先進製程良率。隨著半導體製程技術節點持續進化至28、20奈米(nm),晶圓製造業者對於研磨墊的缺陷率、移除率等要求亦更加嚴苛。因應此一市場需求,陶氏化學開發出全新研磨墊產品–IKONIC,除可降低晶圓瑕疵率並提升研磨墊與設備使用壽命外,亦可針對客戶需求進行優化,發揮最佳效能。 ...
2012 年 09 月 18 日

延續摩爾魂 G450C揭櫫18吋晶圓量產計畫

18吋晶圓研發能量日益壯大。全球18吋晶圓推動聯盟(G450C)已在美國紐約州奈米科學與工程學院(CNSE)的12吋晶圓廠,安裝十一台18吋晶圓生產設備,並將於今年12月進一步打造首座18吋晶圓無塵室(Cleanroom)。此外,該聯盟亦計畫在2016年,釋出193i微影測試設備並建立整條18吋晶圓測試產線,以延續摩爾定律(Moore’s...
2012 年 09 月 14 日

通過台積28奈米驗證 益華DDR4 IP率先搶市

第四代雙倍資料率(DDR4)記憶體時代即將到來。益華電腦(Cadence Design Systems)與台積電在DDR4矽智財(IP)方案合作有成,除搶先推出DDR4同步動態隨機存取記憶體(SDRAM)實體層(PHY)及記憶體控制器設計IP系列產品外,亦已在台積電28奈米(nm)製程上成功驗證,將有助帶動DDR4市場的發展。 ...
2012 年 09 月 13 日

市場地位難撼動 IDM囊括MEMS製造八成產值

整合元件製造商(IDM)仍位居MEMS市場要角。儘管MEMS委外生產的商業模式日漸成熟,但由於製程特殊及智慧財產(IP)等因素考量,諸如德州儀器(TI)、意法半導體(ST)與Bosch Sensortec等IDM,目前為微機電系統(MEMS)市場的主導者,並占據八成以上市場產值,在MEMS供應鏈中扮演關鍵角色。 ...
2012 年 09 月 12 日

趕搭3D IC熱潮 聯電TSV製程明年量產

聯電矽穿孔(TSV)製程將於2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅,聯電加緊研發邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術,將採Via-Middle方式,在晶圓完成後旋即穿孔,再交由封測廠依Wide...
2012 年 09 月 11 日

邁向20奈米 Altera新SoC FPGA功耗降60%

Altera公開其下一代20奈米(nm)製程現場可編程閘陣列(FPGA)技術藍圖。繼台積電表示2013年可望量產20奈米產品後,Altera旋即對外發表其20奈米系統單晶片(SoC)FPGA的產品,將透過三維(3D)封裝技術進行開發,可較前一代產品降低60%功耗。 ...
2012 年 09 月 11 日

先進製程衝第一 台積電16/10奈米搶先開火

台積電先進製程布局火力全開。除20奈米(nm)已先行導入試產外,台積電2013~2015年還將進一步採用鰭式場效應晶體(FinFET)技術,打造16、10奈米製程;同時亦可望推出18吋(450mm)晶圓樣品製造設備,全力防堵三星(Samsung)及格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)追趕。 ...
2012 年 09 月 07 日