天科合達實現3英寸碳化矽晶片規模化生產

天科合達於近期宣布實現了3英寸碳化(SiC)晶片的規模化生產。此前,天科合達降低了2英寸SiC晶片的銷售價格,滿足客戶對新一代大功率半導體器件的研發和商業化應用。最近天科合達已成功實現了高質量3英寸導電型SiC晶片的量產且積極擴大產能。該公司表示,其產品質量相對於美國、歐洲同類產品極具競爭性,具備極低的平均微管密度、X-射線衍射搖擺曲線半高寬小於30弧秒、電阻率及晶片加工質量滿足工業用戶需求,適合製備新一代高性能肖特基二極管、金屬半導體場效應晶體管和金屬氧化物場效應晶體管等功率元件。...
2009 年 09 月 29 日