GaN產能與價格雙重助攻　碇基搶灘AI高功率電源需求

氮化鎵(GaN)功率半導體在消費性電子領域已累積成熟的基礎，廣泛用於快充充電器等，2025年氮化鎵應用將進一步擴大。 整體產業持續擴充產能 碇基半導體產品行銷經理謝穠懋觀察，由於8吋、12吋氮化鎵晶圓產能陸續開出，加上製程技術成熟度提升以及價格下降，預期2025年是氮化鎵元件發展的元年，其應用預期如雨後春筍大量進入市場。同時Fabless的氮化鎵廠商，也在台積電氮化鎵代工製程較為成熟、良率穩定之下，透過代工合作供應氮化鎵元件。...
2025 年 02 月 18 日

子公司積亞/冠亞分進合擊　台亞WBG生力軍雙龍搶珠

AI資料中心、電動車等應用需求的快速發展下，寬能隙半導體為功率元件帶來更高的功率密度與能源轉換效率，有望協助產業在大量的能源需求下，兼顧永續發展目標。其中，碳化矽(SiC)適合用於高功率應用，氮化鎵(GaN)則可以專攻小功率、裝置輕巧且功率密度高的產品。...
2025 年 02 月 17 日

台寬能隙半導體供應鏈成型　碳化矽/氮化鎵雙軌發展

寬能隙半導體市場正歷經重要轉折，碳化矽(SiC)受到中國大量擴產，6吋晶圓價格幾乎腰斬，為產業帶來新的機會與挑戰。碳化矽降價讓更多中、低階產品有機會採用，擴大碳化矽的應用範圍。但是碳化矽降價也讓台廠，面臨如何尋找獨特市場地位的挑戰，避免陷入低價競爭。而氮化鎵(GaN)受惠於全球主要IDM廠商的8吋、12吋產能陸續開出，成本降低，應用領域持續增加。...
2025 年 02 月 04 日

高密度電源需求大增　Si/SiC/GaN元件特性各有千秋

在資訊技術與科技快速進步的現代社會中，人們對電源系統的效率與體積的要求不斷提高。以行動智慧裝置為例，2000年初期的電源供應模組功率密度約為每安培1立方公分。而到了2025年，已接近每安培數立方毫米。在短短20年間，功率密度提升了兩到三個數量級，其進步速度可謂驚人。...
2025 年 01 月 23 日

工研院/台達電聯合發表車用驅動碳化矽功率模組

工研院與台達電聯手於日本國際電子製造關連展(NEPCON JAPAN)發表車用碳化矽(SiC)技術解決方案，並以「電動車驅動及充電方案」、「功率氮化鎵(GaN)」、「功率氧化鎵(Ga2O3)」以及「400kW大電力直流變壓器」四大專區，展示逾10項新一代寬能隙功率半導體前瞻技術成果，吸引逾8萬人次參觀及眾多車輛零件商、車廠製造商洽談合作，顯現台灣車載半導體的元件設計到驗證能力深受國際肯定。...
2025 年 01 月 22 日

SiC市場發酵　格棋八吋碳化矽晶圓技術獲國家新創獎

碳化矽(SiC)市場隨著電動車與永續能源的需求發酵，台廠也積極投入碳化矽供應鏈。台灣碳化矽長晶技術廠商格棋化合物半導體宣布，公司以「低缺陷密度八吋碳化矽晶圓技術(Low Defect Density of...
2024 年 12 月 30 日

英飛凌GaN賦能歐姆龍社會解決方案實現輕巧V2X充電系統

英飛凌(Infineon)宣布與歐姆龍社會解決方案公司合作，結合英飛凌的氮化鎵(GaN)功率解決方案與歐姆龍的創新電路拓樸和控制技術，賦能歐姆龍社會解決方案實現了一款車聯網(V2X)充電系統，這是日本外型尺寸最小，同時重量也最輕巧的系統之一。這項合作將進一步推動寬能隙材料在電源供應領域的創新，有助於加速向再生能源、更智慧的電網以及電動車的轉型，並促進低碳化和數位化的進程。...
2024 年 02 月 07 日

追求環境永續　資料中心積極擁抱新世代電源技術

據Yole Group預估，資料中心的擁有者為達成環境永續的目標，未來幾年將持續投資於新世代的資料中心電源技術，並帶動相關電源供應器(PSU)市場蓬勃發展。在2022年，全球資料中心PSU的產值約為74億美元，到2028年時，將成長至105億美元。...
2023 年 10 月 26 日

為電氣化社會打地基　寬能隙元件不可或缺

近幾年備受矚目的寬能隙功率元件，在電動車、再生能源的推波助瀾下，在市場普及方面進展快速。但相較於矽功率半導體，寬能隙元件畢竟是新技術，除了元件本身還有許多可以改善的空間，同時在設計導入的階段，也會為電源開發者帶來新的挑戰。...
2023 年 01 月 23 日

品勛/是德近期將舉辦GaN商業化技術研討會

品勛科技與是德科技(Keysight)將於10/20舉辦「確保寬能隙半導體－GaN氮化鎵元件的穩定及可用性並加速其商業化技術研討會」，特邀講師包含國立陽明交通大學吳添立教授及宏汭精測林明正總經理。 憑藉著優異的材料特性，寬能隙半導體元件漸漸展現出應用於電源轉換的潛力。GaN-on-Si的成本優勢把氮化鎵元件變成低功率快充應用中的標準配備。然而大功率如家電、工業、汽車等應用對功率元件的耐用性與可靠度有更高的要求，GaN-on-Si的材料缺陷使得用於氮化矽的靜態量測與可靠度評估已不足以代表氮化鎵元件在真實系統中的動態表現。...
2022 年 10 月 03 日

英飛凌斥資20億歐元　擴大寬能隙半導體產能

英飛凌(Infineon)將大幅提升寬能隙(碳化矽和氮化鎵)半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之後，新廠區將用於生產碳化矽和氮化鎵功率半導體產品，每年可為英飛凌創造20億歐元的收入。...
2022 年 03 月 01 日

寬能隙半導體普及在望　電源轉換損耗再創新低

電氣化趨勢使全球電力需求持續成長，利用寬能隙元件降低電源轉換損耗，將創造可觀的經濟效益與環保價值。
2020 年 07 月 02 日
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