意法1,350V新系列IGBT電晶體提升耐受性/效能

意法半導體(ST)新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1,350V,最高作業溫度達175°C,更高的額定值確保電晶體在所有運作條件下具有更大的設計餘量、耐受性能和更長久的可靠性。 新推出之STPOWER...
2023 年 11 月 21 日