TrendForce:2019年Q1台積電全球晶圓代工市占率達48.1%

根據TrendForce旗下拓墣產業研究院最新報告統計,由於包含智慧型手機在內的大部分終端市場需求疲乏,導致先進製程發展驅動力道下滑,晶圓代工業者於2019年第一季面臨相當嚴峻的挑戰,預估第一季全球晶圓代工總產值將較2018年同期衰退約16%,達146.2億美元。市占率排名前三名分別為台積電、三星與格羅方德,而儘管台積電市占率達48.1%,但第一季營收年成長率衰退近18%。...
2019 年 03 月 25 日

FPGA商業模式新突破 QuickLogic推出IP授權方案

傳統上,現場可編程閘陣列(FPGA)業者是以銷售晶片與功能電路的矽智財(IP)作為主要營收來源,但快輯(QuickLogic)近日宣布,其專利的超低功耗可編程邏輯技術也將以矽智財的型式授權給其他晶片業者使用,此舉可望造福眾多系統單晶片(SoC)設計公司,讓晶片設計公司開發出更具彈性的SoC。...
2016 年 12 月 07 日

成立研發/製造中心 中芯國際競逐3D IC戰場

在台積電、聯電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)競相投入三維積體電路(3D IC)技術後,中國大陸晶圓代工廠中芯國際(SMIC)亦不落人後,21日宣布將成立視覺、感測器、3D IC技術研發/製造中心–CVS3D,與一線晶圓代工廠一較高下。 ...
2013 年 10 月 23 日

FinFET引爆投資熱 半導體業啟動新一輪競賽

半導體業界已發展出運用FinFET的半導體製造技術,對製程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法產生極大變化。特別是IDM業者與晶圓代工廠正競相加碼研發以FinFET生產應用處理器的技術,促使市場競爭態勢急速升溫。
2013 年 09 月 14 日

確保與IBM合作有成 聯電緊握14/10nm主導權

聯電近期與IBM簽訂合作計畫,全力衝刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)製程量產。不過,聯電也不忘記取當初發展0.13微米時,授權IBM方案卻面臨量產窒礙難行,反遭台積電大幅超前進度的教訓;此次在14/10奈米的合作僅將採用IBM基礎技術平台與材料科技,並將主導大部分製程研發,以結合先進科技和具成本效益的量產技術,避免重蹈覆轍。 ...
2013 年 08 月 13 日

鎖定大陸IC設計市場 台積/格羅方德再掀28nm熱鬥

台積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米製程戰火將擴大延燒。中國大陸IC設計業者為搶進行動裝置市場,紛紛投入28奈米晶片開發。瞄準此一商機,台積電與格羅方德均積極展開擴產,並致力強化技術支援能力,以爭取大陸IC設計業者青睞。
2013 年 08 月 12 日

STB/智慧電視晶片導入 28奈米第二波商機駕到

新一波28奈米(nm)製程商機來臨。隨著28奈米製程技術日益成熟,加上聯電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)產能也陸續開出,28奈米晶片設計風潮已開始由行動處理器和現場可編程閘陣列(FPGA),擴散至機上盒(STB)及智慧電視(Smart...
2013 年 07 月 29 日

縮短開發時程 晶圓廠競逐FinFET混搭製程

一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米製程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結合20奈米後段金屬導線製程的方式達成試量產目標;而台積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代,初版方案亦可望採用類似的混搭技術,足見此設計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。 ...
2013 年 07 月 24 日

明導國際8月27日舉辦技術論壇

明導國際(Mentor Graphics)將在8月27日於新竹喜來登大飯店舉辦技術論壇大會–Mentor Forum。除分享領先的積體電路(IC)設計技術,也邀請到包括明導國際、國內外業者聯發科、台積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、安謀國際(ARM)、等擔任與會講師,就技術議程分享並交流經驗。Mentor...
2013 年 07 月 18 日

衝刺28奈米市占 格羅方德拉攏大陸晶片商

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)可望以28奈米製程在中國大陸晶片市場打下一片天。中國大陸行動晶片商快速崛起,對28奈米(nm)製程的需求也日益殷切,然目前全球僅少數晶圓廠可提供相關產能,且多半已先被美系IC設計大廠包下,使其發展受阻。因此,格羅方德透過先期研發合作及保證產能供應等策略,積極拉攏中國大陸晶片商,並已成功搶下瑞芯微等客戶。...
2013 年 06 月 24 日

先進製程布局各有盤算 GF/聯電爭搶晶圓榜眼

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES, GF)與聯電為爭奪晶圓代工市占第二寶座正競相出招。前者除積極擴產28奈米製程外,更計畫於明後年擴大資本支出,加速14、10奈米FinFET量產時程;後者則先衝刺40奈米及特殊製程服務營收,並在28奈米以下製程發展上穩紮穩打。
2013 年 06 月 10 日

衝刺28奈米/FinFET研發 晶圓廠資本支出創新高

為爭搶先進製程商機大餅,包括台積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠,下半年均將擴大資本設備支出,持續擴充28奈米製程產能;與此同時,受到英特爾衝刺FinFET技術研發刺激,各大晶圓廠也不斷加碼技術投資,將驅動整體晶圓代工產業支出向上飆升。
2013 年 05 月 13 日