20奈米製程聲聲催 EUV光罩/晶圓檢測發展趕進度

在先進製程邁入20奈米之際,半導體設備商正積極透過策略結盟方式發展EUV光罩缺陷檢測系統,以加速實現EUV技術應用於20奈米節點的目標;另一方面,擁有更高晶圓缺陷檢測精準度與吞吐量的電子束晶圓缺陷檢視設備,需求也逐漸看漲。
2011 年 10 月 03 日

搶攻20奈米缺陷檢測 科磊eDR-7000上陣

值此晶圓廠先進製程邁入20奈米以下的世代交替之際,讓更高晶圓缺陷檢測精準度與速度的電子束(e-beam)晶圓缺陷檢視設備重要性劇增。也因此,科磊(KLA-Tencor)瞄準20奈米(nm)及以下製程節點發表eDR-7000,將為挹注2012年可觀營收貢獻的利器。 ...
2011 年 08 月 17 日