馬自達與ROHM聯合開發氮化鎵功率半導體車載元件

馬自達與ROHM開始聯合開發採用次世代半導體技術—氮化鎵(GaN)功率半導體的車載元件。馬自達與ROHM自2022年起，在「電驅動單元的開發與生產合作體系」中，一直在推進搭載碳化矽(SiC)功率半導體的逆變器聯合開發。此次雙方再著手開發採用GaN功率半導體的車載相關元件，為次世代電動車打造出創新型的車載元件產品。...
2025 年 03 月 28 日

意法半導體推出高效能氮化鎵電源供應器參考設計EVL250WMG1L

為加速設計具卓越效率與高功率密度的氮化鎵(GaN)電源供應器(PSUs)，意法半導體推出了搭載MasterGaN1L系統封裝(SiP)的EVL250WMG1L共振轉換器參考設計。 MasterGaN SiP將氮化鎵功率元件與專為快速開關控制而最佳化的閘極驅動器結合，取代傳統的離散元件，提升效能與可靠性，並縮短設計周期，同時節省PCB空間。...
2025 年 03 月 20 日

CGD完成3,200萬美元的C輪融資

氮化鎵(GaN)功率元件正在突破傳統功率電子技術的限制，相較於矽基解決方案，它具有更快的開關速度、更低的能耗和更緊湊的設計。英商劍橋氮化鎵元件有限公司(CGD)自研的單晶片ICeGaN技術簡化了GaN元件在現有和新興設計的應用，也將效率水準提升至99%以上，可為電動車和資料中心電源等高功率應用節省50%的能源。這項創新技術可望每年減少數百萬噸的二氧化碳排放，並憑藉ICeGaN技術固有的易用性，為全球進一步邁向永續能源系統提供強勁動力。...
2025 年 02 月 24 日

GaN產能與價格雙重助攻　碇基搶灘AI高功率電源需求

氮化鎵(GaN)功率半導體在消費性電子領域已累積成熟的基礎，廣泛用於快充充電器等，2025年氮化鎵應用將進一步擴大。 整體產業持續擴充產能 碇基半導體產品行銷經理謝穠懋觀察，由於8吋、12吋氮化鎵晶圓產能陸續開出，加上製程技術成熟度提升以及價格下降，預期2025年是氮化鎵元件發展的元年，其應用預期如雨後春筍大量進入市場。同時Fabless的氮化鎵廠商，也在台積電氮化鎵代工製程較為成熟、良率穩定之下，透過代工合作供應氮化鎵元件。...
2025 年 02 月 18 日

子公司積亞/冠亞分進合擊　台亞WBG生力軍雙龍搶珠

AI資料中心、電動車等應用需求的快速發展下，寬能隙半導體為功率元件帶來更高的功率密度與能源轉換效率，有望協助產業在大量的能源需求下，兼顧永續發展目標。其中，碳化矽(SiC)適合用於高功率應用，氮化鎵(GaN)則可以專攻小功率、裝置輕巧且功率密度高的產品。...
2025 年 02 月 17 日

提升雷達探測距離　氮化鎵PA脈衝下降有解(1)

氮化鎵(GaN)功率放大器提升相位陣列雷達效能，但其脈衝下降影響探測距離。本文探討其影響與緩解措施，並分析先進固態元件如何優化雷達性能，提升解析度與感測能力。 氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)使得現代相位陣列雷達的效能大幅超越前一代技術，除了具備高功率密度，而且不需要體積龐大而容易損耗的合成網路。本文聚焦於探討氮化鎵功率放大器的脈衝下降(Pulse...
2025 年 02 月 17 日

提升雷達探測距離　氮化鎵PA脈衝下降有解(2)

氮化鎵(GaN)功率放大器提升相位陣列雷達效能，但其脈衝下降影響探測距離。本文探討其影響與緩解措施，並分析先進固態元件如何優化雷達性能，提升解析度與感測能力。 脈衝下降管理 (承前文)在現場管理脈衝條件是控制脈衝下降性能的其中一種可行方法。在晶片之外，放大器閘極和漏極供應電路上的旁路電容選擇會影響上升時間和下降時間的性能。即使是放大器的相對位置、方向以及解耦電容材料的選擇都會影響脈衝保真度。設計在射頻頻率下運作的電路，表示阻抗不僅取決於元件電容，寄生電容和電感也會產生影響，而且隨著頻率增加，這種影響通常會增強。...
2025 年 02 月 17 日

台寬能隙半導體供應鏈成型　碳化矽/氮化鎵雙軌發展

寬能隙半導體市場正歷經重要轉折，碳化矽(SiC)受到中國大量擴產，6吋晶圓價格幾乎腰斬，為產業帶來新的機會與挑戰。碳化矽降價讓更多中、低階產品有機會採用，擴大碳化矽的應用範圍。但是碳化矽降價也讓台廠，面臨如何尋找獨特市場地位的挑戰，避免陷入低價競爭。而氮化鎵(GaN)受惠於全球主要IDM廠商的8吋、12吋產能陸續開出，成本降低，應用領域持續增加。...
2025 年 02 月 04 日

ROHM/台積公司建立戰略合作夥伴關係

ROHM宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(台積公司)在車載氮化鎵功率元件的開發和量產事宜建立戰略合作夥伴關係。 透過該合作關係，雙方將致力於將ROHM的氮化鎵元件開發技術，結合台積公司的GaN-on-Silicon製程技術優勢，滿足市場對高耐壓和高頻特性優異的功率元件日益成長的需求。...
2024 年 12 月 13 日

氮化鎵結合拓撲改良　伺服器電源效率扶搖直上

要打造能源效率更高的資料中心，進一步提升伺服器等IT設備的電源系統轉換效率與功率密度是兩大關鍵。 同時，為了降低高效率電源的導入障礙，這類系統的成本不能太過高昂。具有高速開關特性的氮化鎵(GaN)，結合圖騰柱(Totempole)拓撲，不僅能提升電源轉換效率，同時還可以簡化電源設計、實現更高功率密度，可望成為未來資料中心內各種電源供應器的主流。...
2024 年 11 月 01 日

日本會津廠新產線投產　德州儀器GaN產能大增4倍

德州儀器(TI)宣布，已開始在日本會津廠生產氮化鎵(GaN)功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造產能，該公司GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。 德州儀器在日本會津廠的氮化鎵(GaN)產能正式上線，讓該公司的GaN產能可望擴增4倍...
2024 年 10 月 25 日

AI帶動散熱/電源需求　賀利氏電子雙管齊下解難題

耗電量巨大的生成式AI對晶片封裝、散熱與系統供電帶來極具挑戰性的要求。在此同時，減少碳足跡的壓力也促使晶片跟設備製造商，必須導入更低碳的材料。作為封裝材料的主要供應商，賀利氏電子除了積極研發新產品，同時也在提供設計支援、幫助客戶實現製程最佳化方面，做出更多投入。...
2024 年 09 月 12 日
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