英飛凌宣布其EZ-PD電源適配器第一代(PAG1)AC/DC電源解決方案獲得Xentris Wireless公司近期為Verizon製造的快充壁式充電器所採用。該款Verizon充電器可為可攜式設備迅速供電，並為兼容設備提供達45W的快速充電。EZ-PDPAG1是一款整合USB-PD功能的雙晶片AC/DC電源解決方案，可實現精簡型充電器。這些功能充電器可與所有USB-C充電線配合使用，為配備USB-C介面的先進和傳統設備充電。...

Power Integrations推出一個全新設計參考，其所描述的USB Power Delivery充電器所需元件極少。以Power Integrations的全新Inno Switch 3-PD...

中美晶將藉由參與美商Transphorm的私募計畫，在快速成長的GaN市場中擴大布局。中美晶表示，在這次Transphorm的私募中，該公司斥資1,500萬美元入股，其中包含在8月初始投入的500萬美元，以每股5美元取得Transphorm普通股股權。...

近期蘋果(Apple)發表了用於MacBook Pro的全新140W USB-C電源適配器，並首次採用了基於氮化鎵(GaN)的技術，顯示出百瓦級大功率快充產品進入成長期，加速第三代半導體消費應用的發展擴張。根據TrendForce研究指出，在GaN功率電晶體價格不斷下降(目前已逼近約1美元)，以及技術方案愈趨成熟的態勢下，預估至2025年GaN在整體快充領域的市場滲透率將達到52%。...

在5G、電動車應用的催化下，化合物半導體當前半導體產業內最常被提起的話題。從光電應用起家的化合物半導體，或將成為一股為世界帶來更多重大改變的新力量。

半導體的應用越來越廣泛，隨著許多領域陸續電氣化，尤其5G、雲端運算、物聯網、電動車等趨勢，而為了提升效率與擴大應用規模，耐高電壓、更低導通電阻與更快切換速度的寬能隙半導體氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)迅速崛起，Infineon長期投入功率元件的開發，自然在當紅的第三代半導體擁有完整布局。

宜普電源轉換(EPC)推出了40V、1.6mΩ的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)，元件型號為EPC2069，專爲設計人員而設，EPC2069比目前市場上可選的元件更小、更高效、更可靠，適用於高性能且空間受限的應用。 ...

德州儀器(TI)宣布其氮化鎵(GaN)技術和 C2000即時微控制器(MCU)，輔以台達長期耕耘之電力電子核心技術，為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器(PSU)。與採用傳統架構的企業伺服器電源供應器相比，台達研發的伺服器電源供應器功率密度可提高80%，效率提升1%。根據能源與氣候政策公司能源創新(Energy...

英飛凌(Infineon)日前宣布，其位於奧地利菲拉赫(Villach)的12吋薄晶圓功率半導體晶片廠正式啟用營運。這座以「面向未來」為宗旨的高科技晶片廠，總投資額為16億歐元，是歐洲微電子領域同類型中最大規模的投資項目之一，也是現代化程度最高的半導體元件工廠之一。這座新啟用的晶圓廠，現階段將生產汽車、資料中心，以及太陽能和風能等再生能源應用所需的晶片。這座新晶圓廠啟用後，原本位於Villach的舊廠區，在未來幾年將陸續展開產線升級計畫，以便用更大尺寸的晶圓量產碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)元件，滿足市場對第三代半導體的強勁需求。...

英飛凌科技和Panasonic公司已針對共同開發及生產第二代(Gen2)氮化鎵(GaN)技術簽訂合約，基於已獲認可接受的GaN技術，Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。Gen2技術以 8 吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)晶圓生產的能力，凸顯出英飛凌在需求日益增長的GaN功率半導體領域的策略性拓展。為了因應市場需求，Gen2...

意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出MasterGaN3和MasterGaN5兩款整合功率系統封裝，分別針對最高45W和150W的功率轉換應用。另外針對65W至400W應用的MasterGaN1、MasterGaN2和MasterGaN4，為設計開關式電源、高壓功率因數校正(Power-Factor...

從一顆豆腐頭開始，新一代氮化鎵(GaN)充電器即將邁向大眾市場，同時也意味著第三代半導體材料準備大顯身手，將進入高速成長階段，氮化鎵功率元件的市場規模，可望從2020年的4,600萬美元，一路成長到2026年的11億美元，平均年複合成長率超過70%。