浸潤式/EUV微影雙管齊下 1x奈米演進一路暢通

1x奈米以下先進製程將混搭兩種微影技術。為順利推動16/14奈米鰭式電晶體(FinFET),以及未來的10/7奈米先進製程,晶圓廠正加緊研發極紫外光(EUV)微影技術,並計畫以浸潤式(Immersion)微影搭配EUV,達到兼顧高解析度曝光和高速/低成本生產效益的目標。 ...
2014 年 09 月 25 日

記憶體應用商機可期 微影設備需求持續走揚

今年10月中旬,本刊受邀參加微影設備大廠ASML於荷蘭總部舉辦的年度研究成果發布大會,除深入了解全球金融風暴對ASML與微影設備市場的衝擊及未來發展方向外,亦帶回雙重成像與EUV微影技術的最新進展,裨益讀者掌握晶片創新的重要趨勢。
2008 年 11 月 03 日

雙重曝光技術護航 ArF浸潤式微影穩居主流

在雙重曝光技術與相關設備漸趨成熟的加持下,原本面臨物理極限的193奈米浸潤式微影因而得以延伸應用至32奈米與22奈米製程節點,成為下一世代微影製程的主流技術。
2008 年 09 月 01 日